GD400HTX120P4S, Modul IGBT, STARPOWER

Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 400a.

Fitur

Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
Kerugian switching rendah
Kemampuan hubung singkat 10μs
VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
Suhu junction maksimum 175 ℃
Kasing induktansi rendah
Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
Plat dasar pinfin tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

Kendaraan hibrida dan listrik
Inverter untuk motor drive
Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Saya GBT

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1200	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya CN	Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental	400	A
Saya C	Arus Pengumpul @ T F =25 O C @ T F =75 O C	400 300	A
Saya CM	Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms	800	A
P P	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C	1500	W

Dioda

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V RRM	Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia	1200	V
Saya FN	Pelaksanaan Forward Cu rental	400	A
Saya F	Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental	300	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms	800	A

Modul

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
t jmax	Suhu Junction Maksimum	175	O C
t Jopp	Suhu Junction Operasi	-40 hingga +150	O C
t STG	Rentang suhu penyimpanan	-40 hingga +125	O C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit	2500	V

IGBT Karakteristik t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C = 300A,V GE = 15V, t j =25 O C		1.50	1.95	V
		Saya C = 300A,V GE = 15V, t j =125 O C		1.60
		Saya C = 300A,V GE = 15V, t j = 150 O C		1.65
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =16.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.3	5.8	6.3	V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI arus	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor arus	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
R Gint	Resistensi Gerbang Dalam			0.5		Ω
C ies	Kapasitas input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		41.4		NF
C res	Transfer Balik Kapasitansi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		1.16		NF
Q g	Biaya gerbang	V GE =15V		3.11		μC
t P (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =500V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C		171		n
t R	Waktu naik			54		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			433		n
t F	Waktu musim gugur			41		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			18.2		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			13.4		mJ
t P (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =500V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V GE = ± 15V, t j =125 O C		193		n
t R	Waktu naik			54		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			546		n
t F	Waktu musim gugur			93		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			25.7		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			26.8		mJ
t P (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =500V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V GE = ± 15V, t j = 150 O C		203		n
t R	Waktu naik			64		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			628		n
t F	Waktu musim gugur			93		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			27.8		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			30.9		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤ 10 μs, V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		1600		A

Dioda Karakteristik t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C		1.55	1.80	V
		Saya F = 300A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.50
		Saya F = 300A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.45
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =500V,I F = 300A, -di/dt=3150A/μs,V GE = 15V t j =25 O C		25.7		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			229		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			6.7		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =500V,I F = 300A, -di/dt=3150A/μs,V GE = 15V t j =125 O C		49.0		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			380		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			17.1		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =500V,I F = 300A, -di/dt=3150A/μs,V GE = 15V t j = 150 O C		57.0		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			380		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			20.0		mJ

NTC Karakteristik t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
R 25	Rentang Rating			5.0		kΩ
∆R/R	Penyimpangan dari R 100	t C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Daya dissipasi				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		k
B 25/80	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		k
B 25/100	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		k

Modul Karakteristik t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
△ P	Tekanan Turun pendinginan Cir menggemaskan △ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ;t F =25 O C ;Pendinginan Cairan = 50% Air/50% Etilena Glikol		100		mbar
P	Tekanan Maksimum Dalam Sirkulasi Pendinginan menggemaskan			2.5	Batang
L CE	Induktansi Sisa		14		nH
R CC+EE	Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip		0.80		mΩ
R thJF	Perpaduan -ke -Pendinginan Cairan (perIGBT ) Sambungan-ke-Cairan Pendingin (per Di (Inggris)			0.100 0.125	K/W
m	Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6	2.5 3.0		5.0 6.0	N.M
g	Berat dari Modul		1250		g