Modul IGBT 1700V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

648

400

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

800

A

P D

Penghambatan Daya Maksimal t = 175 O C

2380

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1700

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

400

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

800

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =400A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 16,0 mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.88

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

48.2

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.17

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15V...+15V

3.77

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =400A, R g = 0,82Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C

204

n

t R

Waktu naik

38

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

425

n

t F

Waktu musim gugur

113

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

97.9

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

84.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =400A, R g = 0,82Ω,V GE = ± 15V, t j =125 O C

208

n

t R

Waktu naik

50

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

528

n

t F

Waktu musim gugur

184

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

141

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

132

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =400A, R g = 0,82Ω,V GE = ± 15V, t j = 150 O C

216

n

t R

Waktu naik

50

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

544

n

t F

Waktu musim gugur

204

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

161

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

137

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 100V, V CEM ≤ 1700V

1600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =400A,V GE =0V,T j =125 O C

1.90

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 150 O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

116

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

666

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

63.8

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C

187

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

662

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

114

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V t j = 150 O C

209

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

640

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

132

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Modul Lead Resista nce, terminal ke chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.063

0.105

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.032

0.053

0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g