GD400CLX120C2S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

636

400

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

800

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C

2083

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

400

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

800

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.75

2.20

V

Saya C =400A,V GE = 15V, t vj =125 O C

2.00

Saya C =400A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

2.05

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =14.4 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

37.3

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

1.04

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

2.80

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g =2.0Ω, L S =50nH , V GE =±15V, T vj =25 O C

223

n

t R

Waktu naik

49

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

334

n

t F

Waktu musim gugur

190

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

17.9

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

28.7

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g =2.0Ω, L S =50nH , V GE =±15V, T vj =125 O C

230

n

t R

Waktu naik

54

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

385

n

t F

Waktu musim gugur

300

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

29.4

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

41.2

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g =2.0Ω, L S =50nH , V GE =±15V, T vj = 150 O C

228

n

t R

Waktu naik

57

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

393

n

t F

Waktu musim gugur

315

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

32.3

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

42.9

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =400A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =400A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Saya F =400A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=8030A/μs, L S =50nH, V GE = 15V, t vj =25 O C

33.6

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

374

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

13.6

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=7030A/μs, L S =50nH, V GE = 15V, t vj =125 O C

67.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

446

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

28.2

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6880A/μs, L S =50nH, V GE = 15V, t vj = 150 O C

75.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

452

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

31.4

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.072 0.113

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.023 0.036 0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g