GD400CLU120C2SD,Modul IGBT,STARPOWER

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 400a.

Fitur

Aplikasi Tipikal

Absolute Maksimum Peringkat t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1200	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =60 O C	519 400	A
Saya CM	Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms	800	A
P P	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 150 O C	2450	W

Dioda

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V RRM	Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia	1200	V
Saya F	Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental	400	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms	800	A

Modul

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
t vjmax	Suhu Junction Maksimum	150	O C
t vjop	Suhu Junction Operasi	-40 hingga +125	O C
t STG	Rentang suhu penyimpanan	-40 hingga +125	O C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit	2500	V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =400A,V GE = 15V, t vj =25 O C		2.90	3.35	V
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =400A,V GE = 15V, t vj =125 O C		3.60		V
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =16.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C	4.5	5.5	6.5	V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI arus	V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor arus	V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C			400	NA
R Gint	Resistensi Gerbang Dalam keturunan			0.6		Ω
C ies	Kapasitas input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		26.0		NF
C res	Transfer Balik Kapasitansi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		1.70		NF
Q g	Biaya gerbang	V GE =-15…+15V		4.2		μC
t P (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =400A, R g = 2,2Ω, L S =30 nH , V GE = ± 15V,T vj =25 O C		252		n
t R	Waktu naik			63		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			427		n
t F	Waktu musim gugur			44		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			24.7		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			16.5		mJ
t P (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =400A, R g = 2,2Ω, L S =30 nH , V GE = ± 15V,T vj =125 O C		258		n
t R	Waktu naik			65		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			465		n
t F	Waktu musim gugur			57		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			35.2		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			22.6		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤ 10 μs, V GE = 15V, t vj =125 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1600		A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F =400A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	V
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F =400A,V GE =0V,T vj =125 O C		1.90		V
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =600V,I F =400A, -di/dt=6540A/μs, L S =30nH, V GE = 15V, t vj =25 O C		38.9		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			401		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			13.8		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =600V,I F =400A, -di/dt=6300A/μs, L S =30nH, V GE = 15V, t vj =125 O C		68.0		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			444		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			26.2		mJ

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
L CE	Induktansi Sisa			30	nH
R CC+EE	Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip		0.35		mΩ
R thJC	Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)			0.051 0.114	K/W
R thCH	Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)		0.019 0.042 0.010		K/W
m	Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Berat dari Modul		300		g