Semua Kategori

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

halaman utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1700V

GD3600SGX170C4S,Modul IGBT,Modul IGBT arus tinggi,STARPOWER

1700V 3600A,C4

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD3600SGX170C4S
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER. 1 700V 3600A ,C4 .

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • Kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

  • Konverter Daya Tinggi
  • Penggerak motor

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =100 O C

3600

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

7200

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

21.4

kW

Dioda

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1700

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

3600

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

7200

A

Saya FSM

Arus Surges Maju V R =0V,T P =10ms, @T j =25 O C @T j = 150 O C

23.22 19.95

kA

Saya 2t

Saya 2t-nilai,V R =0V,T P =10m s,T j =25 O C Saya 2t-nilai,V R =0V,T P = 10ms ,t j = 150 O C

2695

1990

kA 2S

Modul

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =3600A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.85

2.30

V

Saya C =3600A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =3600A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.30

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =144.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0.7

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

427

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

10.7

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

35.3

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =3600A, R Gon = 1,2Ω, R Goff =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

L S =65 nH ,t j =25 O C

1161

n

t R

Waktu naik

413

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

4761

n

t F

Waktu musim gugur

430

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

1734

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

2580

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =3600A, R Gon = 1,2Ω, R Goff =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

L S =65 nH ,t j =125 O C

1370

n

t R

Waktu naik

547

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

5303

n

t F

Waktu musim gugur

457

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

2679

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

2881

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =3600A, R Gon = 1,2Ω, R Goff =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

L S =65 nH ,t j = 150 O C

1413

n

t R

Waktu naik

585

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

5490

n

t F

Waktu musim gugur

473

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

2863

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

2960

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

14.0

kA

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =3600A,V GE =0V,T j = 25O C

1.80

2.25

V

Saya F =3600A,V GE =0V,T j =125 O C

1.90

Saya F =3600A,V GE =0V,T j = 150 O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =3600A,

-di/dt=7000A/μs,V GE =-9V, L S =65 nH ,t j =25 O C

207

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

1030

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

199

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =3600A,

-di/dt=5700/μs,V GE =-9V, L S =65 nH ,t j =125 O C

288

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

1020

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

339

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =3600A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-9V, L S =65 nH ,t j = 150 O C

391

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

996

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

341

mJ

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

6.0

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.085

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

7.0 12.8

K/kW

R thCH

kasus -ke -Heat sink (perIGBT )Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

6.2 11.3 4.0

K/kW

P Merayap

Terminal-ke-Penyerap Panas Terminal-ke-Terminal

32.2 32.2

mm

P jelas

Terminal-ke-Penyerap Panas Terminal-ke-Terminal

19.1 19.1

mm

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Torsi koneksi terminal, Sekrup M8 Torsi pemasangan, Sekrup M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

Berat dari Modul

2060

g

Rangka kerja

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000