Modul IGBT 1700V

Simbol

Deskripsi

GD3600SGT170C4S

Unit

VCES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

VGES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Ic

Arus Kolektor@ TC=25℃

Arus Kolektor@ TC=80℃

5200

A

3600

ICM(1)

Arus Kolektor Berdenyut tp= 1ms

7200

A

IF

Arus Maju Diode Berkelanjutan

3600

A

IFM

Arus Maju Maksimum Dioda

7200

A

PD

Penyerapan daya maksimum @ Tj= 175℃

19.7

kW

Tj

Suhu Junction Maksimum

175

°C

TSTG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

°C

VISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Pemasangan

Sekrup Terminal Sinyal:M4

Sekrup Terminal Daya:M8

1.8 hingga 2.1

8.0 hingga 10

N.M

Torsi

Sekrup Pemasangan:M6

4.25 hingga 5.75

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V ((BR) CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

Tj=25℃

1700

V

ICES

Arus pemotongan kolektor

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor

arus

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

VGE(th)

Ambang Gerbang-Emitor

Tegangan

IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE (sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃

2.40

2.85

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

Qg

Biaya gerbang

VGE=- 15…+15V

42.0

μC

RGint

Resistor Gerbang Internal

Tj=25℃

0.5

Ω

Td (on)

Waktu penundaan menyala

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

n

tr

Waktu naik

205

n

Td (off)

Waktu penundaan pemutus

1510

n

TF

Waktu musim gugur

185

n

EON

Kerugian Saklar Nyalakan

498

mJ

EOFF

Kerugian Saklar Matikan

1055

mJ

Td (on)

Waktu penundaan menyala

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj= 125℃

785

n

tr

Waktu naik

225

n

Td (off)

Waktu penundaan pemutus

1800

n

TF

Waktu musim gugur

325

n

EON

Kerugian Saklar Nyalakan

746

mJ

EOFF

Kerugian Saklar Matikan

1451

mJ

Ces

Kapasitas input

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

317

NF

Coes

Kapasitansi Output

13.2

NF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

10.5

NF

Isc

Data SC

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

14000

A

LCE

Induktansi Sisa

10

nH

RCC’+EE ’

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.12

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

VF

Dioda Maju

Tegangan

IF=3600A

Tj=25℃

1.80

2.20

V

Tj= 125℃

1.90

2.30

Qr

Muatan yang Dipulihkan

IF=3600A,

VR=900V,

RGon=0.4Ω,

VGE=- 15V

Tj=25℃

836

μC

Tj= 125℃

1451

IRM

arus pemulihan terbalik

Tj=25℃

2800

A

Tj= 125℃

3300

Erec

Energi Pemulihan Balik

Tj=25℃

590

mJ

Tj= 125℃

1051