Modul IGBT 1700V

Simbol

Deskripsi

GD300SGT170C2S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Kolektor @ t C =25 °C

@ T C =80 °C

550

300

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P =1 MS

600

A

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

@ T C =80 °C

300

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

600

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =1 75°C

2239

W

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Pemasangan Torsi

Sekrup terminal daya:M4

Sekrup Terminal Daya:M6

1.1 sampai 2.0

2.5 hingga 5.0

N.M

Sekrup Pemasangan:M6

3.0 sampai 5.0

N.M

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1700

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 12,0 mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C = 300A,V GE = 15V, t j =25 °C

2.00

2.45

V

Saya C = 300A,V GE = 15V, t j =125 °C

2.40

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, R g =4.7Ω,V GE = ± 15V, t j =25 °C

281

n

t R

Waktu naik

82

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

801

n

t F

Waktu musim gugur

121

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

70.0

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

65.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, R g =4.7Ω,V GE = ± 15V, t j =125 °C

303

n

t R

Waktu naik

103

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

1002

n

t F

Waktu musim gugur

203

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

105

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

94.0

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

26.6

NF

C oes

Kapasitansi Output

1.11

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.88

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.1

Ω

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Kepala modul

resistansi,

terminal ke chip

0.18

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F = 300A

t j =25 °C

1.80

2.20

V

t j =125 °C

1.90

Q R

Dipulihkan

biaya

Saya F = 300A,

V R =900V,

R g = 4,7Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

77

μC

t j =125 °C

131

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

351

A

t j =125 °C

383

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

40.0

mJ

t j =125 °C

72.0

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

0.067

K/W

R θ JC

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.124

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)

0.035

K/W

Berat

Berat Modul

300

g