GD300MNX120C6SA, Modul IGBT, STARPOWER

Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 300a.

Fitur

teknologi NPT IGBT
Kemampuan hubung singkat 10μs
Kerugian switching rendah
VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
Kasing induktansi rendah
Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

Energi surya
UPS
Aplikasi 3-Tingkat

Absolute Maksimum Peringkat t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

inverter IGBT

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1200	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C	468 300	A
Saya CRM	Berulang Puncak Kolektor arus tp terbatas Oleh t vjop	600	A
P P	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C	1530	W

inverter DIODE

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V RRM	Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia	1200	V
Saya F	Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental	300	A
Saya FRM	Berulang Puncak Maju arus tp terbatas Oleh t vjop	600	A

Dioda-3-tingkat

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V RRM	Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia	1200	V
Saya F	Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental	300	A
Saya FRM	Berulang Puncak Maju arus tp terbatas Oleh t vjop	600	A

Modul

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
t vjmax	Suhu Junction Maksimum	175	O C
t vjop	Suhu Junction Operasi	-40 hingga +150	O C
t STG	Rentang suhu penyimpanan	-40 hingga +125	O C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit	2500	V

IGBT -Inverter Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C = 300A,V GE = 15V, t vj =25 O C		1.70	2.15	V
		Saya C = 300A,V GE = 15V, t vj =125 O C		1.95
		Saya C = 300A,V GE = 15V, t vj = 150 O C		2.00
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =12.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI arus	V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor arus	V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C			400	NA
R Gint	Resistensi Gerbang Dalam keturunan			2.5		Ω
C ies	Kapasitas input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		31.1		NF
C res	Transfer Balik Kapasitansi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.87		NF
Q g	Biaya gerbang	V GE =-15 ...+15V		2.33		μC
t P (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C = 300A, R g =2.4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =25 O C		215		n
t R	Waktu naik			53		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			334		n
t F	Waktu musim gugur			205		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			21.5		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			20.7		mJ
t P (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C = 300A, R g =2.4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =125 O C		231		n
t R	Waktu naik			59		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			361		n
t F	Waktu musim gugur			296		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			30.1		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			28.1		mJ
t P (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C = 300A, R g =2.4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj = 150 O C		240		n
t R	Waktu naik			62		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			376		n
t F	Waktu musim gugur			311		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			32.9		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			29.9		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤ 10 μs, V GE = 15V, t vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1200		A

Dioda -Inverter Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =125 O C		1.90
		Saya F = 300A,V GE =0V,T vj = 150 O C		1.95
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=2937A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =25 O C		36.3		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			235		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			15.7		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=2720A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =125 O C		61.3		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			257		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			27.5		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=2616A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj = 150 O C		68.8		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			262		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			30.8		mJ

Dioda -3- tingkat Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =125 O C		1.90
		Saya F = 300A,V GE =0V,T vj = 150 O C		1.95
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=5683A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =25 O C		36.2		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			290		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			13.4		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =125 O C		56.6		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			301		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			22.2		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj = 150 O C		65.9		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			306		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			26.3		mJ

NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
R 25	Rentang Rating			5.0		kΩ
∆R/R	Penyimpangan dari R 100	t C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Daya dissipasi				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		k
B 25/80	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		k
B 25/100	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		k

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
L CE	Induktansi Sisa		35		nH
R CC+EE	Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip		1.45		mΩ
R thJC	Perpaduan -ke -kasus (perIGBT -Inverter ) Junction-ke-Case (per Diode-invert er) Junction-ke-Case (per Diode-3-le vel)			0.098 0.176 0.176	K/W
R thCH	Case-ke-Sink (per IGBT-in verter) Case-ke-Sink (per Diode-i nverter) Case-ke-Sink (per Diode-3- tingkat) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)		0.033 0.059 0.059 0.009		K/W
m	Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
g	Berat dari Modul		350		g