Semua Kategori

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

Halaman Utama /  Produk  /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1700V

GD300HFX170C6S, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT, 1700V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFX170C6S
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1700V 300A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • Kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Tipikal Aplikasi

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 100O C

493

300

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

600

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T = 175 O C

1829

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1700

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

300

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

600

A

Modul

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C = 300A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C = 300A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.25

Saya C = 300A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 12,0 mA,V CE =V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

36.1

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.88

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, R Gon = 3,3Ω,

R Goff = 4,7Ω, V GE = ± 15V,

t j =25 O C

213

n

t R

Waktu naik

83

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

621

n

t F

Waktu musim gugur

350

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

79.2

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

70.2

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, R Gon = 3,3Ω,

R Goff = 4,7Ω, V GE = ± 15V,

t j = 125O C

240

n

t R

Waktu naik

92

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

726

n

t F

Waktu musim gugur

649

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

104

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

108

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, R Gon = 3,3Ω, R Goff = 4,7Ω,

V GE = ± 15V, t j = 150O C

248

n

t R

Waktu naik

95

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

736

n

t F

Waktu musim gugur

720

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

115

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

116

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F = 300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Saya F = 300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V t j =25 O C

82.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

407

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

46.6

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V t j =125 O C

138

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

462

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

92.2

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V t j = 150 O C

154

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

460

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

109

mJ

NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

ΔR/R

Penyimpangan dari R 100

t C = 100 O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

k

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

1.10

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.082 0.129

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (p (diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.029 0.046 0.009

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Berat dari Modul

350

g

Rangka kerja

image(c537ef1333).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000