Modul IGBT 1700V

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

493

300

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

600

A

P D

Penghambatan Daya Maksimal t = 175 O C

1829

W

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C = 300A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C = 300A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.25

Saya C = 300A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 12,0 mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

36.1

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.88

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

2.83

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, R g =2.4Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 O C

204

n

t R

Waktu naik

48

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

595

n

t F

Waktu musim gugur

100

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

69.3

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

63.3

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, R g =2.4Ω

,V GE = ± 15V, t j = 125O C

224

n

t R

Waktu naik

55

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

611

n

t F

Waktu musim gugur

159

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

96.8

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

99.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, R g =2.4Ω

,V GE = ± 15V, t j = 150O C

240

n

t R

Waktu naik

55

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

624

n

t F

Waktu musim gugur

180

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

107

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

105

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F = 300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Saya F = 300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

55

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

297

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

32.2

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C

116

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

357

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

68.2

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V t j = 150 O C

396

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

120

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

81.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Modul Lead Resista nce, terminal ke chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.082

0.129

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.033

0.051

0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g