Semua Kategori

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

halaman utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1700V

GD300HFX170C2SA,Modul IGBT,STARPOWER

Modul IGBT, 1700V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFX170C2SA
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1700V 300a.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • Kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Pelat dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC Y

Aplikasi Tipikal

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

493

300

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

600

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C

1829

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1700

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

600

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C = 300A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.85

2.30

V

Saya C = 300A,V GE = 15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C = 300A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =12.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

36.1

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.88

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, R g =2.4Ω, Ls=42nH, V GE = ± 15V,

t vj =25 O C

355

n

t R

Waktu naik

71

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

473

n

t F

Waktu musim gugur

337

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

89.3

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

46.3

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, R g =2.4Ω, Ls=42nH, V GE = ± 15V,

t vj =125 O C

383

n

t R

Waktu naik

83

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

549

n

t F

Waktu musim gugur

530

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

126

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

68.5

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, R g =2.4Ω, Ls=42nH, V GE = ± 15V,

t vj = 150 O C

389

n

t R

Waktu naik

88

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

575

n

t F

Waktu musim gugur

585

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

139

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

73.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj = 150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

1200

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

V

Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.95

Saya F = 300A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.90

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3247A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =42 nH ,t vj =25 O C

68

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

202

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

34.5

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2579A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =42 nH ,t vj =125 O C

114

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

211

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

61.2

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2395A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =42 nH ,t vj = 150 O C

136

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

217

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

73.9

mJ

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.082 0.127

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.033 0.051 0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

image(c3756b8d25).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000