GD300HFX120C6SA, Modul IGBT, STARPOWER

Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 300a.

Fitur

V rendah CE(sat) IGBT Trench T teknologi

10μs sirkuit pendek kemampuan

V CE (sat ) Dengan positif Suhu koefisien

Maksimum Suhu persimpangan 175O C

Kasing induktansi rendah

Pemulihan terbalik cepat & lembut FWD anti paralel

Basis tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

Inverter untuk motor drive

AC dan DC servo Mengemudikan penguat er

Sumber daya tak terputus

Absolute Maksimum Peringkat t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1200	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C	496 300	A
Saya CM	Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms	600	A
P P	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C	1685	W

Dioda

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V RRM	Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia	1200	V
Saya F	Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental	300	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms	600	A

Modul

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
t jmax	Suhu Junction Maksimum	175	O C
t Jopp	Suhu Junction Operasi	-40 hingga +150	O C
t STG	Rentang suhu penyimpanan	-40 hingga +125	O C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit	2500	V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C = 300A,V GE = 15V, t j =25 O C		1.70	2.15	V
		Saya C = 300A,V GE = 15V, t j =125 O C		1.95
		Saya C = 300A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.00
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =12.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI arus	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor arus	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
R Gint	Resistensi Gerbang Dalam keturunan			2.5		Ω
C ies	Kapasitas input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		31.1		NF
C res	Transfer Balik Kapasitansi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.87		NF
Q g	Biaya gerbang	V GE =-15 ...+15V		2.33		μC
t P (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C		313		n
t R	Waktu naik			57		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			464		n
t F	Waktu musim gugur			206		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			9.97		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			28.6		mJ
t P (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V GE = ± 15V, t j =125 O C		336		n
t R	Waktu naik			66		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			528		n
t F	Waktu musim gugur			299		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			21.1		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			36.6		mJ
t P (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C = 300A, R g =1.5Ω,V GE = ± 15V, t j = 150 O C		345		n
t R	Waktu naik			68		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			539		n
t F	Waktu musim gugur			309		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			25.6		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			37.8		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤ 10 μs, V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		1200		A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		Saya F = 300A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.90
		Saya F = 300A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=6950A/μs,V GE = 15V, t j =25 O C		10.8		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			272		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			9.53		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=6090A/μs,V GE = 15V, t j =125 O C		24.2		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			276		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			18.4		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=5440A/μs,V GE = 15V, t j = 150 O C		33.6		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			278		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			20.6		mJ

NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
R 25	Rentang Rating			5.0		kΩ
∆R/R	Penyimpangan dari R 100	t C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Daya dissipasi				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		k
B 25/80	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		k
B 25/100	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		k

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
L CE	Induktansi Sisa		20		nH
R CC+EE	Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip		1.10		mΩ
R thJC	Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)			0.089 0.150	K/W
R thCH	kasus -ke -Heat sink (perIGBT ) Case-to-Heatsink (per Diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)		0.029 0.048 0.009		K/W
m	Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
g	Berat dari Modul		350		g