Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

halaman utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD300HFU120C2SD, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT, 1200V 300A, Kemasan: C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFU120C2SD
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
  • Skema Sirkuit Setara
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 300a.

Fitur

  • VCE rendah (sat) teknologi IGBT trench
  • 6μs kemampuan hubung singkat
  • VCE (sat) Dengan positif Suhu koefisien
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

320

300

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

600

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

1063

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

600

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C = 300A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.40

1.85

V

Saya C = 300A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.60

Saya C = 300A,V GE = 15V, t j = 175 O C

1.60

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =8 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

51.5

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.36

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

4.50

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 300A, R g =1.5Ω, Ls=32nH, V GE = ± 15V,

t j =25 O C

405

n

t R

Waktu naik

83

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

586

n

t F

Waktu musim gugur

129

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

34.3

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

19.3

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 300A, R g =1.5Ω, Ls=32nH, V GE = ± 15V,

t j =125 O C

461

n

t R

Waktu naik

107

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

676

n

t F

Waktu musim gugur

214

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

48.0

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

26.6

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 300A, R g =1.5Ω, Ls=32nH, V GE = ± 15V,

t j = 175 O C

518

n

t R

Waktu naik

124

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

738

n

t F

Waktu musim gugur

264

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

58.1

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

31.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤7μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1150

A

t P ≤6μs, V GE = 15V,

t j = 175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1110

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.60

2.00

V

Saya F = 300A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.60

Saya F = 300A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.50

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 300A,

-di/dt=3135A/μs, V GE = 15V, Ls=32nH, T j =25 O C

19.1

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

140

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

4.92

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 300A,

-di/dt=2516A/μs, V GE = 15V Ls=32nH, T j =125 O C

33.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

159

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

9.35

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 300A,

-di/dt=2204A/μs, V GE = 15V Ls=32nH, T j = 175 O C

46.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

171

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

13.7

mJ

NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

k

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

21

nH

R CC+EE

Modul Lead Resista nce,Terminasi ke Chip

1.80

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.141 0.243

K/W

R thCH

kasus -ke -Heat sink (perIGBT )Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.085 0.147 0.009

K/W

m

Sekrup Pemasangan:M6

3.0

6.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

image(c3756b8d25).png

Skema Sirkuit Setara

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000