Modul IGBT 1700V

Simbol

Deskripsi

GD300HFT170C2S

Unit

VCES

Kolektor-Emitter Tegangan

1700

V

VGFs

Gerbang-Emitter Tegangan

±20

V

Ic

Kolektor arus @Tc=25℃

@Tc=80℃

550

A

300

ICM(1)

Berdenyut Kolektor arus tp= 1MS

600

A

Ir

Dioda Kontinu Maju arus

300

A

IM

Dioda Maksimum Maju arus

600

A

PP

Maksimum Daya dissipasi @Tj=175℃

2083

W

TSC

Pendek SIRKUIT Tahanlah. Waktu @Tj =125℃

10

μs

Tjmax

Maksimum Perpaduan Suhu

175

°C

TSTG

Penyimpanan Suhu Rentang

-40 to+125

°C

Nilai I²t,Dioda

VR=0V,t=10ms,Tj=125°C

14500

A²s

VISO

Isolasi Tegangan RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Pemasangan Torsi

Daya Terminal Baut :M6

2.5 ke 5.0

N.M

Pemasangan Sekrup:M6

3.0 ke 5.0

N.M

Simbol

Parameter

Tes Kondisi

Min .

jenis .

Max. .

Unit

BVcrs

Kolektor-Emitter

keruntuhan Tegangan

VGe=0V,Ic=4.0mA, T=25℃

1700

V

ICES

Kolektor Cut-Off arus

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

3.0

mA

IGrs

Gerbang-Emitter kebocoran arus

VGr=VGes,Vcn=0V, T=25℃

400

NA

Simbol

Parameter

Tes Kondisi

Min .

- Tempel.

Max. .

Unit

Vcπ(h)

Gerbang-Emitter Ambang Tegangan

Ie=12.0mA,Vcr=VGE T=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE (sat)

Kolektor ke Pemancar Saturasi Tegangan

Ic=300A,VGr=15V, T=25℃

2.0

V

Ic = 300A, VGr =15V. T=125℃

2.4

Simbol

Parameter

Tes Kondisi

Min .

- Tempel.

Max. .

Unit

taon)

Nyalakan Tunda Waktu

Vcc=900V,Ic=300A, Ra=4.72,

Vae=±15V, T=25℃

281

n

t

Kenaikan Waktu

82

n

ta (o)

Matikan Tunda Waktu

801

n

tr

Jatuh Waktu

Vcc=900V,Ic=300A,

Rc=4.72,

V=±15V

T=25℃

121

n

EON

Nyalakan Beralih

kerugian

70

mJ

Eofr

Matikan Beralih

kerugian

65

mJ

ta(on)

Nyalakan Tunda Waktu

Vcc=900V,Ic=300A,

RG=4.72,

Vc=±15V T=125℃

303

n

t

Kenaikan Waktu

103

n

ta(om)

Matikan Tunda Waktu

1002

n

tr

Jatuh Waktu

203

n

EON

Nyalakan Beralih

kerugian

105

mJ

EOR

Matikan Beralih

kerugian

94

mJ

Ces

Input Kapasitansi

VCE=25V,f=1MHz,

VGr=0V

27.0

NF

Coes

Output Kapasitansi

1.1

NF

Cres

Terbalik Transfer

Kapasitansi

0.9

NF

Isc

SC Data

tSC≤10μs,VGE=15V,

T=125℃,

Vcc=1000V

VcrM≤1700V

1200

A

RGint

Internal Gerbang Resistan CE

2.5

Ω

LCr

Stray induktansi

20

nH

RcC'+EE'

Modul Pimpin resistansi, Terminal ke Chip

TC=25℃

0.35

m2

Simbol

Parameter

Tes Kondisi

Min .

- Tempel.

Max. .

Unit

VR

Dioda Maju

Tegangan

Iq=300A

Tj=25℃

1.8

V

Ti=125℃

1.9

Q

Dioda Terbalik

Pemulihan biaya

Ir=300A,

VR=900V,

di/dt=-3600A/μs,

VGr=-15V

T=25℃

77

μC

Tj=125℃

131

IRM

Dioda Puncak

Terbalik Pemulihan arus

Tj=25℃

351

A

T=125℃

383

Eree

Terbalik Pemulihan energi

Tj=25℃

40

mJ

Tj=125℃

72

Simbol

Parameter

- Tempel.

Max. .

Unit

Rac

Perpaduan -ke -Kasus (IGBT Bagian , per 1/2 Modu le)

0.072

K/W

Rac

Perpaduan -ke -Kasus (Dioda Bagian , P er 1/2 Modul)

0.13

K/W

Roc

Case-to-Sink (Konduktif grease diterapkan)

0.035

K/W

Berat

Berat dari Modul

300

g