Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

halaman utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD300HFQ120C2SD, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT, 1200V 300A, Kemasan: C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFQ120C2SD
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
  • Skema Sirkuit Setara
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 300a.

Fitur

  • VCE rendah (sat) teknologi IGBT trench
  • Kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE (sat) Dengan positif Suhu koefisien
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

  • Catu daya mode switching
  • pemanasan induktif
  • Mesin pengelasan elektronik

Absolute Maksimum Peringkat t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 95 O C

452

300

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

600

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C

1724

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

600

A

Modul

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C = 300A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.85

2.30

V

Saya C = 300A,V GE = 15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C = 300A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 7,50 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

31.1

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.87

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

2.33

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 300A, R g =1.6Ω, Ls=45nH, V GE = ± 15V,T vj =25 O C

200

n

t R

Waktu naik

47

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

245

n

t F

Waktu musim gugur

65

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

20.8

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

9.15

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 300A, R g =1.6Ω, Ls=45nH, V GE = ± 15V,T vj =125 O C

206

n

t R

Waktu naik

49

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

280

n

t F

Waktu musim gugur

94

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

29.9

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

12.5

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 300A, R g =1.6Ω, Ls=45nH, V GE = ± 15V,T vj = 150 O C

209

n

t R

Waktu naik

51

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

295

n

t F

Waktu musim gugur

105

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

35.1

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

13.6

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Saya F = 300A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.95

Q R

Dipulihkan biaya

V R =600V,I F = 300A,

-di/dt=5570A/μs, V GE = 15V, Bahasa Inggris =45 nH ,t vj =25 O C

28.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

287

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

8.81

mJ

Q R

Dipulihkan biaya

V R =600V,I F = 300A,

-di/dt=4930A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris =45 nH ,t vj =125 O C

44.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

295

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

14.3

mJ

Q R

Dipulihkan biaya

V R =600V,I F = 300A,

-di/dt=4580A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris =45 nH ,t vj = 150 O C

50.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

300

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

16.0

mJ

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.087 0.153

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.031 0.055 0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

image(c3756b8d25).png

Skema Sirkuit Setara

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000