Modul IGBT 1700V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

490

300

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

600

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T = 175 O C

2027

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C = 300A,V GE = 15V, t j =25 O C

2.40

2.85

V

Saya C = 300A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.80

Saya C = 300A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.90

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 12,0 mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.4

6.2

7.4

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.3

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.69

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

2.31

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, R g = 4,7Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 O C

200

n

t R

Waktu naik

97

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

410

n

t F

Waktu musim gugur

370

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

82.0

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

60.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, R g = 4,7Ω,

V GE = ± 15V, t j = 125O C

250

n

t R

Waktu naik

99

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

630

n

t F

Waktu musim gugur

580

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

115

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

90.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A, R g = 4,7Ω,

V GE = ± 15V, t j = 150O C

260

n

t R

Waktu naik

105

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

670

n

t F

Waktu musim gugur

640

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

125

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

100

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F = 300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.95

Saya F = 300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

90.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

270

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

45.0

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

135

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

315

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

75.5

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

160

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

330

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

84.0

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

t C = 100O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Disipasi Daya

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

k

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

1.10

mΩ

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.074

0.121

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (per IGBT)

Case-to-Sink (per Diode)

0.029

0.047

K/W

R θ CS

Case-to-Sink

0.009

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Berat Modul

350

g