GD275MJS120L6S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya CN

Mengimplementasikan Kolletor C arus

275

A

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =100 O C

110

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

450

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya FN

Mengimplementasikan Arus Maju ent

275

A

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

450

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya FN

Mengimplementasikan Arus Maju ent

275

A

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

225

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

450

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya FN

Mengimplementasikan Arus Maju ent

275

A

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

450

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

3200

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =225A,V GE = 15V, t j =25 O C

2.00

2.45

V

Saya C =225A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.70

Saya C =225A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.90

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =9.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.7

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

38.1

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.66

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

2.52

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =225A, R g =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36 nH ,t j =25 O C

154

n

t R

Waktu naik

45

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

340

n

t F

Waktu musim gugur

76

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

13.4

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

8.08

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =225A, R g =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36 nH ,t j =125 O C

160

n

t R

Waktu naik

49

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

388

n

t F

Waktu musim gugur

112

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

17.6

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

11.2

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =225A, R g =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36 nH ,t j = 150 O C

163

n

t R

Waktu naik

51

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

397

n

t F

Waktu musim gugur

114

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

18.7

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

12.0

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.60

2.05

V

Saya F = 300A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.60

Saya F = 300A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

Q R

Dipulihkan biaya

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=5350A/μs,V GE =-8V L S =36 nH ,t j =25 O C

20.1

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

250

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

6.84

mJ

Q R

Dipulihkan biaya

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=5080A/μs,V GE =-8V L S =36 nH ,t j =125 O C

32.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

277

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

11.5

mJ

Q R

Dipulihkan biaya

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V L S =36 nH ,t j = 150 O C

39.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

288

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

14.0

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =225A,V GE =0V,T j =25 O C

1.60

2.05

V

Saya F =225A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.60

Saya F =225A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.60

2.05

V

Saya F = 300A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.60

Saya F = 300A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

Q R

Dipulihkan biaya

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=5050A/μs,V GE =-8V L S =30 nH ,t j =25 O C

18.6

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

189

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

5.62

mJ

Q R

Dipulihkan biaya

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V L S =30 nH ,t j =125 O C

34.1

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

250

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

11.4

mJ

Q R

Dipulihkan biaya

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V L S =30 nH ,t j = 150 O C

38.9

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

265

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

13.2

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Disipasi Daya

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

k

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

15

nH

R thJC

Sambungan-ke-Casing (per T1 -T4 IGBT) Sambungan-ke-Casing (per D1/D4 D yodium) Sambungan-ke-Casing (per D2/D3 D yodium) Sambungan-ke-Casing (per D5/D6 D yodium)

0.070 0.122 0.156 0.122

K/W

R thCH

Casing-ke-Penyerap Panas (per T 1-T4 IGBT) Casing-ke-Penyerap Panas (per D1/D4 Diode) Casing-ke-Penyerap Panas (per D2/D3 Diode) Kasus-ke-HeatSink (per D5/D6 Diode)

0.043 0.053 0.069 0.053

K/W

m

Torsi pemasangan, Sekrup:M5

3.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

250

g