Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD2400SGL120C3SN

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Kolektor @ t C =25 °C

@ T C = 100°C

3550

2400

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P =1 MS

4800

A

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

2400

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

4800

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =1 75°C

12.8

kW

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

°C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Pemasangan Torsi

Sekrup Terminal Sinyal:M4

1.8 hingga 2.1

Sekrup Terminal Daya:M8

8.0 hingga 10

N.M

Sekrup Pemasangan:M6

4.25 hingga 5.75

Berat

Beratnya Modul

1500

g

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =96 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.4

7.4

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =2400A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.95

2.40

V

Saya C =2400A,V GE = 15V, t j =125 °C

2.10

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =2400A, R Gon = 1,0Ω,

R Goff = 2,3Ω,

V GE = ± 15V,T j =25 °C

188

n

t R

Waktu naik

131

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

1040

n

t F

Waktu musim gugur

132

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

272

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

320

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =2400A, R Gon = 1,0Ω,

R Goff = 2,3Ω,

V GE = ± 15V,T j =125 °C

214

n

t R

Waktu naik

184

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

1125

n

t F

Waktu musim gugur

138

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

268

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

416

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

TBD

NF

C oes

Kapasitansi Output

TBD

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

TBD

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j = 150 °C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

9000

A

Q g

Biaya gerbang

V CC =600V,I C =2400A, V GE =-15 ﹍+15V

TBD

μC

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.3

Ω

L CE

Induktansi Sisa

12

nH

R CC+EE

Kepala modul

resistansi,

terminal ke chip

0.19

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =2400A

t j =25 °C

1.80

2.20

V

t j =125 °C

1.75

Q R

Dipulihkan

biaya

Saya F =2400A,

V R =600V,

R g = 1.6Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

246

μC

t j =125 °C

435

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

810

A

t j =125 °C

1160

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

103

mJ

t j =125 °C

182

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

11.7

K/kW

R θ JC

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

21.9

K/kW

R θ CS

Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)

6

K/kW