Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD225HTT120C7S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter @ T j =25 °C

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter @ T j =25 °C

±20

V

Saya C

Arus Kolektor @ t C =25 °C

@ T C =80 °C

400

225

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P =1 MS

450

A

P untuk

Total Daya Disipasi @ T j = 175 °C

1442

W

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =9.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =225A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.70

2.15

V

Saya C =225A,V GE = 15V, t j =125 °C

2.00

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =225A, R g =3.3Ω,V GE = ± 15V, t j =25 °C

251

n

t R

Waktu naik

89

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

550

n

t F

Waktu musim gugur

125

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

/

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

/

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =225A, R g =3.3Ω,V GE = ± 15V, t j =125 °C

305

n

t R

Waktu naik

100

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

660

n

t F

Waktu musim gugur

162

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

15.1

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

35.9

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

16.0

NF

C oes

Kapasitansi Output

0.84

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.73

NF

Q g

Biaya gerbang

V CC =600V,I C =225A, V GE =15V

2.1

μC

R Gint

Resistor Gerbang Dalam

3.3

Ω

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

900

A

Simbol

Deskripsi

GD225HTT120C7S

Unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang @ T j =25 °C

1200

V

Saya F

Arus Maju DC @ T C =80 °C

225

A

Saya FRM

Arus Maju Puncak Berulang t P = 1ms

450

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =225A,

V GE =0V

t j =25 °C

1.65

2.15

V

t j =125 °C

1.65

Q R

Muatan yang Dipulihkan

Saya F =225A,

V R =600V,

R g = 3,3Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

22

μC

t j =125 °C

43

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

160

A

t j =125 °C

198

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

11.2

mJ

t j =125 °C

19.9

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Disipasi Daya

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

k

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

2500

V

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi lead modul e, Terminal ke Chip @ T C =25 °C

1.10

mΩ

R θ JC

Junction-ke-Case (per IGBT-inverter) Junction-ke-Case (per DIODE-inverter ter)

0.104

0.173

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)

0.005

K/W

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40

125

°C

Pemasangan Torsi

Sekrup Terminal Daya:M6

Pemasangan Sekrup:M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Beratnya Modul

910

g