Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

halaman utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD225HFX120C6SA,Modul IGBT,STARPOWER

Modul IGBT,1200V 225A, Kemasan:C6.1

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD225HFX120C6SA
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
  • Skema Sirkuit Setara
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 225a.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • Kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

368

225

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

450

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

1229

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

225

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

450

A

Modul

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =225A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =225A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =225A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =5.63 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.7

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

23.3

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.65

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

1.75

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =225A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C

171

n

t R

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

391

n

t F

Waktu musim gugur

72

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

7.3

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

17.5

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =225A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, t j =125 O C

182

n

t R

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

484

n

t F

Waktu musim gugur

93

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

13.4

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

27.3

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =225A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, t j = 150 O C

193

n

t R

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

515

n

t F

Waktu musim gugur

103

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

16.1

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

30.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

900

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =225A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

Saya F =225A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.90

Saya F =225A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 15V, t j =25 O C

25.9

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

345

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

11.8

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 15V, t j =125 O C

49.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

368

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

21.6

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 15V, t j = 150 O C

56.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

391

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

24.5

mJ

NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

k

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

1.10

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.122 0.188

K/W

R thCH

kasus -ke -Heat sink (perIGBT ) Case-to-Heatsink (per Diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.030 0.046 0.009

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Berat dari Modul

350

g

Rangka kerja

Skema Sirkuit Setara

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000