GD200TLQ120L3S, Modul IGBT, 3-level, STARPOWER

Modul IGBT 1200V

GD200TLQ120L3S, Modul IGBT, 3-level, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200TLQ120L3S

Pengenalan
Rangka kerja
Skema Sirkuit Setara

Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 200a.

Fitur

Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
Kerugian switching rendah
Kemampuan sirkuit pendek
VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
Suhu junction maksimum 175oC
Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
Kasing induktansi rendah
Penyekat heatsink menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

Energi surya
UPS
aplikasi 3-level

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

T1,T4 IGBT

Simbol	Deskripsi	Nilai	unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1200	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 100O C	339 200	A
Saya CM	Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms	400	A
P D	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C	1456	W

D1,D4 Diode

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V RRM	Tegangan Balik Puncak Berulang	1200	V
Saya F	Diode terus menerus ke depan Cur =0V,	75	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms	150	A

T2,T3 IGBT

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	650	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 95 O C	158 100	A
Saya CM	Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms	200	A
P D	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C	441	W

D2,D3 Diode

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V RRM	Tegangan Balik Puncak Berulang	650	V
Saya F	Diode terus menerus ke depan Cur =0V,	100	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms	200	A

Modul

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
t jmax	Suhu Junction Maksimum	175	O C
t Jopp	Suhu Junction Operasi	-40 hingga +150	O C
t STG	Suhu penyimpanan Rentang	-40 hingga +125	O C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V

T1,T4 IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C = 100A,V GE = 15V, t j =25 O C		1.40	1.85	V
		Saya C = 100A,V GE = 15V, t j =125 O C		1.65
		Saya C = 100A,V GE = 15V, t j = 150 O C		1.70
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =5.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.2	6.0	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI arus	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor arus	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
R Gint	Resistensi Gerbang Dalam keturunan			3.8		Ω
C ies	Kapasitas input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		20.7		NF
C res	Transfer Balik Kapasitansi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.58		NF
Q g	Biaya gerbang	V GE =- 15…+15V		1.56		μC
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =400V,I C = 100A, R g = 1. 1Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C		142		n
t R	Waktu naik			25		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			352		n
t F	Waktu musim gugur			33		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			1.21		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			3.90		mJ
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =400V,I C = 100A, R g = 1. 1Ω,V GE = ± 15V, t j = 125O C		155		n
t R	Waktu naik			29		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			440		n
t F	Waktu musim gugur			61		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			2.02		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			5.83		mJ
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =400V,I C = 100A, R g = 1. 1Ω,V GE = ± 15V, t j = 150O C		161		n
t R	Waktu naik			30		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			462		n
t F	Waktu musim gugur			66		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			2.24		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			6.49		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤ 10μs,V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		800		A

D1,D4 Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F =75A,V GE =0V,T j =25 O C		1.70	2.15	V
		Saya F =75A,V GE =0V,T j = 125O C		1.65
		Saya F =75A,V GE =0V,T j = 150O C		1.65
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =400V,I F =75A, -di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C		8.7		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			122		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			2.91		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =400V,I F =75A, -di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C		17.2		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			143		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			5.72		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =400V,I F =75A, -di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C		19.4		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			152		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			6.30		mJ

T2,T3 IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C = 100A,V GE = 15V, t j =25 O C		1.45	1.90	V
		Saya C = 100A,V GE = 15V, t j =125 O C		1.60
		Saya C = 100A,V GE = 15V, t j = 150 O C		1.70
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C = 1.60mA,V CE =V GE , T j =25 O C	5.0	5.8	6.5	V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI arus	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor arus	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
R Gint	Resistensi Gerbang Dalam keturunan			2.0		Ω
C ies	Kapasitas input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		11.6		NF
C res	Transfer Balik Kapasitansi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.23		NF
Q g	Biaya gerbang	V GE =- 15…+15V		0.69		μC
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =400V,I C = 100A, R g =3.3Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C		44		n
t R	Waktu naik			20		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			200		n
t F	Waktu musim gugur			28		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			1.48		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			2.48		mJ
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =400V,I C = 100A, R g =3.3Ω,V GE = ± 15V, t j = 125O C		48		n
t R	Waktu naik			24		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			216		n
t F	Waktu musim gugur			40		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			2.24		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			3.28		mJ
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =400V,I C = 100A, R g =3.3Ω,V GE = ± 15V, t j = 150O C		52		n
t R	Waktu naik			24		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			224		n
t F	Waktu musim gugur			48		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			2.64		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			3.68		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤ 6μs,V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC = 360V, V CEM ≤ 650V		500		A

D2,D3 Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F = 100A,V GE =0V,T j =25 O C		1.55	2.00	V
		Saya F = 100A,V GE =0V,T j = 125O C		1.50
		Saya F = 100A,V GE =0V,T j = 150O C		1.45
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =400V,I F = 100A, -di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C		3.57		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			99		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			1.04		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =400V,I F = 100A, -di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C		6.49		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			110		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			1.70		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =400V,I F = 100A, -di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C		7.04		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			110		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			1.81		mJ

NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
R 25	Rentang Rating			5.0		kΩ
ΔR/R	Penyimpangan dari R 100	t C = 100 O C,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Daya dissipasi				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		k
B 25/80	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		k
B 25/100	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		k

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
R thJC	Hubungan dengan Case (per T1, T4 IGBT) Junction-to-Case (per D1,D4 Dio de) Junction-to-Case (per T2, T3 IGBT) Junction-to-Case (per D2,D3 Dio de)		0.094 0.405 0.309 0.544	0.103 0.446 0.340 0.598	K/W
R thCH	Kasus-ke-Heatsink (per T1,T4 IGBT) Case-to-Heatsink (per D1,D4 Diode) Kasus-ke-Heatsink (per T2,T3 IGBT) Case-to-Heatsink (per D2,D3 Diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)		0.126 0.547 0.417 0.733 0.037		K/W
F	Gaya Pemasangan Per Clamp	40		80	N
g	Berat dari Modul		39		g