GD200SGU120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 200A.

Fitur

Aplikasi Tipikal

Absolute Maksimum Peringkat T C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Deskripsi	GD200SGU120C2S	Unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1200	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya C	Arus Kolektor @ T C =25 ℃ @ T C =80 ℃	320 200	A
Saya CM	Arus Kolektor Berdenyut t p =1 mS	400	A
Saya F	Arus Maju Kontinu Diode @ T C =80 ℃	200	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms	400	A
P P	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =1 50℃	1645	W
T jmax	Suhu Junction Maksimum	150	℃
T STG	Suhu penyimpanan Rentang	-40 hingga +125	℃
V ISO	Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V
Pemasangan Torsi	Terminal Sinyal Sekrup:M4	1.1 sampai 2.0
	Sekrup Terminal Daya:M6	2.5 hingga 5.0	N.M
	Sekrup Pemasangan:M6	3.0 sampai 5.0

Listrik Karakteristik dari IGBT T C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat

Karakteristik Off

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V (BR )CES	Kolektor-Emitter Tegangan Pecah	T j =25 ℃	1200			V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI Arus	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor Arus	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃			400	nA

Karakteristik On

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 ℃	4.4	4.9	6.0	V
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =200A,V GE = 15V, T j =25 ℃		3.10	3.55	V
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =200A,V GE = 15V, T j =125 ℃		3.45		V

Karakteristik Switching

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
t p (pADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE = ± 15V, T j =25 ℃		577		n
t r	Waktu naik			120		n
t p (mATI )	Matikan Waktu tunda			540		n
t f	Waktu musim gugur			123		n
E pADA	Nyalakan Beralih Kerugian			16.3		mJ
E mATI	Switching Matikan Kerugian			12.0		mJ
t p (pADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE = ± 15V, T j =125 ℃		609		n
t r	Waktu naik			121		n
t p (mATI )	Matikan Waktu tunda			574		n
t f	Waktu musim gugur			132		n
E pADA	Nyalakan Beralih Kerugian			22.0		mJ
E mATI	Switching Matikan Kerugian			16.2		mJ
C ies	Kapasitas input	V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V		16.9		nF
C oes	Kapasitansi Output			1.51		nF
C res	Transfer Balik Kapasitansi			0.61		nF
Saya SC	Data SC	t P ≤ 10μs,V GE =15 V, T j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		1800		A
L CE	Induktansi Sisa				20	nH
R CC+EE	Kepala modul Resistansi, Terminal ke chip			0.18		mΩ

Listrik Karakteristik dari Dioda T C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat

Karakteristik Termal ics

Simbol	Parameter	- Tempel.	Maks.	Unit
R θ JC	Junction-to-Case (per IGB T)		0.076	K/W
R θ JC	Hubungan ke kasus (per D) Yodium)		0.128	K/W
R θ CS	Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)	0.035		K/W
Berat	Berat Modul	300		g