Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD200SGU120C2S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Kolektor @ t C =25 °C

@ T C =80 °C

320

200

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P =1 MS

400

A

Saya F

Arus Maju Kontinu Diode @ T C =80 °C

200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

400

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =1 50°C

1645

W

t jmax

Suhu Junction Maksimum

150

°C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Pemasangan Torsi

Terminal Sinyal Sekrup:M4

1.1 sampai 2.0

Sekrup Terminal Daya:M6

2.5 hingga 5.0

N.M

Sekrup Pemasangan:M6

3.0 sampai 5.0

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

4.4

4.9

6.0

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =200A,V GE = 15V, t j =25 °C

3.10

3.55

V

Saya C =200A,V GE = 15V, t j =125 °C

3.45

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =4.7Ω,V GE = ± 15V, t j =25 °C

577

n

t R

Waktu naik

120

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

540

n

t F

Waktu musim gugur

123

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

16.3

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

12.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =4.7Ω,V GE = ± 15V, t j =125 °C

609

n

t R

Waktu naik

121

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

574

n

t F

Waktu musim gugur

132

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

22.0

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

16.2

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

16.9

NF

C oes

Kapasitansi Output

1.51

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.61

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Kepala modul

resistansi,

terminal ke chip

0.18

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =200A

t j =25 °C

1.82

2.25

V

t j =125 °C

1.92

Q R

Dipulihkan

biaya

Saya F =200A,

V R =600V,

R g = 4,7Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

13.1

μC

t j =125 °C

26.1

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

123

A

t j =125 °C

172

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

7.0

mJ

t j =125 °C

12.9