Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD200SGL120C2S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

400

A

200

Saya CM (1)

Arus Kolektor Pulsed nt

400

A

Saya F

Arus Maju Diode Berkelanjutan

200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Diode =0V,

400

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175°C

1875

W

t SC

Waktu Tahan Hubung Singkat @ T j =125 °C

10

μs

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

t j

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

°C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

°C

Saya 2t-value, Diode

V R =0V, t=10ms, T j =125 °C

6900

A 2S

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t=1menit

2500

V

Torsi Pemasangan

Sekrup Terminal Daya:M6

2.5 hingga 5

N.M

Pemasangan Sekrup:M6

3 ke 6

N.M

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

BV CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor

arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor

Tegangan

Saya C =4 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5

6.2

7.0

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =200A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.8

V

Saya C =200A,V GE = 15V, t j = 125°C

2.0

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A,

R g =5Ω, V GE = ± 15V,

110

n

t R

Waktu naik

60

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

t j =25 °C

360

n

t F

Waktu musim gugur

V CC =600V,I C =200A,

R g =5Ω, V GE = ± 15V,

t j =25 °C

60

n

E PADA

Switching Nyalakan kerugian

18

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

15

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A,

R g =5Ω,V GE = ± 15 V,

t j = 125°C

120

n

t R

Waktu naik

60

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

420

n

t F

Waktu musim gugur

70

n

E PADA

Switching Nyalakan kerugian

21

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

18

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

18.0

NF

C oes

Kapasitansi Output

1.64

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.72

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs, V GE =15 V,

t j =125 °C , V CC =900V,

V CEM ≤ 1200V

1080

A

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC ’+ EE ’

Kepala modul

resistansi, terminal ke Chip

t C =25 °C

0.18

m Ω

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =200A

t j =25 °C

2.0

2.2

V

t j = 125°C

2.2

2.3

Q R

Dioda Mundur

biaya pemulihan

Saya F =200A,

V R =600V,

di/dt=-6000A/μs, V GE =- 15V

t j =25 °C

24

μC

t j = 125°C

32

Saya RM

Dioda Puncak

Pemulihan Terbalik arus

t j =25 °C

240

A

t j = 125°C

280

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

6

mJ

t j = 125°C

10

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (Bagian IGBT, pe r Modul)

0.08

K/W

R θ JC

Junction-to-Case (Bagian DIODE, per Modul e)

0.17

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (Pelumas konduktif a pplied)

0.035

K/W

Berat

Berat dari Modul

310

g