GD200MLY120C2S, 3-tingkat, Modul IGBT, STARPOWER

Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT , 3-tingkat ,diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 200A.

Fitur

Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
Kerugian switching rendah
Suhu junction maksimum 175oC
Kasing induktansi rendah
Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

Inverter untuk motor drive
Catu Daya Tak Terputus
Energi surya

Absolute Maksimum Peringkat T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

T1-T4 IGBT

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1200	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C = 100o C	337 200	A
Saya CM	Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms	400	A
P P	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 o C	1162	W

D1-D4 Dioda

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
V RRM	Tegangan Balik Puncak Berulang	1200	V
Saya F	Diode terus menerus ke depan Cur =0V,	200	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms	400	A

D5,D6 Dioda

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
V RRM	Tegangan Balik Puncak Berulang	1200	V
Saya F	Diode terus menerus ke depan Cur =0V,	200	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms	400	A

Modul

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
T jmax	Suhu Junction Maksimum	175	o C
T jopp	Suhu Junction Operasi	-40 hingga +150	o C
T STG	Suhu penyimpanan Rentang	-40 hingga +125	o C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

T1-T4 IGBT Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =200A,V GE = 15V, T j =25 o C		1.70	2.15	V
		Saya C =200A,V GE = 15V, T j =125 o C		1.95
		Saya C =200A,V GE = 15V, T j = 150 o C		2.00
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	5.2	6.0	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI Arus	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor Arus	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Resistensi Gerbang Dalam keturunan			4.0		ω
C ies	Kapasitas input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		20.7		nF
C res	Transfer Balik Kapasitansi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.58		nF
Q G	Biaya gerbang	V GE =- 15…+15V		1.55		μC
t p (pADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j =25 o C		150		n
t r	Waktu naik			32		n
t p (mATI )	Matikan Waktu tunda			330		n
t f	Waktu musim gugur			93		n
E pADA	Nyalakan Beralih Kerugian			11.2		mJ
E mATI	Switching Matikan Kerugian			11.3		mJ
t p (pADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j = 125o C		161		n
t r	Waktu naik			37		n
t p (mATI )	Matikan Waktu tunda			412		n
t f	Waktu musim gugur			165		n
E pADA	Nyalakan Beralih Kerugian			19.8		mJ
E mATI	Switching Matikan Kerugian			17.0		mJ
t p (pADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j = 150o C		161		n
t r	Waktu naik			43		n
t p (mATI )	Matikan Waktu tunda			433		n
t f	Waktu musim gugur			185		n
E pADA	Nyalakan Beralih Kerugian			21.9		mJ
E mATI	Switching Matikan Kerugian			19.1		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤ 10μs,V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		800		A

D1-D4 Dioda Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F =200A,V GE =0V,T j =25 o C		1.65	2.10	V
		Saya F =200A,V GE =0V,T j = 125o C		1.65
		Saya F =200A,V GE =0V,T j = 150o C		1.65
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C		17.6		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			228		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			7.7		mJ
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C		31.8		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			238		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			13.8		mJ
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j = 150 o C		36.6		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			247		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			15.2		mJ

D5,D6 Dioda Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F =200A,V GE =0V,T j =25 o C		1.65	2.10	V
		Saya F =200A,V GE =0V,T j = 125o C		1.65
		Saya F =200A,V GE =0V,T j = 150o C		1.65
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C		17.6		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			228		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			7.7		mJ
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C		31.8		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			238		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			13.8		mJ
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j = 150 o C		36.6		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			247		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			15.2		mJ

NTC Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
R 25	Rentang Rating			5.0		kΩ
δR/R	Penyimpangan dari R 100	T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Daya Dissipasi				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	R 2=R 25eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		K
B 25/80	Nilai B	R 2=R 25eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		K
B 25/100	Nilai B	R 2=R 25eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		K

Modul Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
R thJC	Sambungan-ke-Casing (per T 1-T4 IGBT) Sambungan-ke-Casing (per D1-D4 Di (Inggris) Sambungan-ke-Casing (per D5,D6 Dio de)			0.129 0.237 0.232	K/W
R thCH	Kasus-ke-Heatsink (per T1-T4 IGBT) Casing-ke-Penyerap Panas (per D1-D4 Diode) Kasus-ke-HeatSink (per D5,D6 Diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)		0.073 0.134 0.131 0.010		K/W
M	Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6	2.5 3.0		5.0 5.0
G	Berat dari Modul		340		g