Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD200MLT120C2S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter @ T j =25 °C

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter @ T j =25 °C

±20

V

Saya C

Arus Kolektor @ t C =25 °C

@ T C =80 °C

360

200

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P =1 MS

400

A

P untuk

Total Daya Disipasi @ T j = 175 °C

1163

W

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =200A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.70

2.15

V

Saya C =200A,V GE = 15V, t j =125 °C

2.00

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g = 3,6Ω,V GE = ± 15V, t j =25 °C

248

n

t R

Waktu naik

88

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

540

n

t F

Waktu musim gugur

131

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

9.85

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

22.8

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g = 3,6Ω,V GE = ± 15V, t j = 125°C

298

n

t R

Waktu naik

99

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

645

n

t F

Waktu musim gugur

178

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

15.1

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

34.9

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

14.4

NF

C oes

Kapasitansi Output

0.75

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.65

NF

Q g

Biaya gerbang

V CC =600V,I C =200A, V GE =-15 ﹍+15V

1.90

μC

R Gint

Resistor Gerbang Dalam

3.8

Ω

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Simbol

Deskripsi

GD200MLT120C2S

Unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang @ T j =25 °C

1200

V

Saya F

Arus Maju DC T C =8 0°C

200

A

Saya FRM

Arus Maju Puncak Berulang t P = 1ms

400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =200A

t j =25 °C

1.65

2.10

V

t j =125 °C

1.65

Q R

Muatan yang Dipulihkan

Saya F =200A,

V R =600V,

R g =3,6Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

20.0

μC

t j =125 °C

26.1

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

151

A

t j =125 °C

190

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

9.20

mJ

t j =125 °C

17.1

Simbol

Deskripsi

GD200MLT120C2S

Unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang @ T j =25 °C

1200

V

Saya F

Arus Maju DC T C =8 0°C

200

A

Saya FRM

Arus Maju Puncak Berulang t P = 1ms

400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =200A,

V GE =0V

t j =25 °C

1.65

2.10

V

t j =125 °C

1.65

Q R

Muatan yang Dipulihkan

Saya F =200A,

V R =600V,

R g =3,6Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

20.0

μC

t j =125 °C

26.1

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

151

A

t j =125 °C

190

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

9.20

mJ

t j =125 °C

17.1

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

R θ JC

Junction-to-Case (per IGBT T1 T2 T3 T4) Junction-to-Case (per Diode D1 D2 D3 D4) Junction-to-Case (per Diode D5 D6)

0.129 0.237 0.232

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)

0.035

K/W

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40

150

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40

125

°C

Pemasangan Torsi

Sekrup Terminal Daya:M6

Sekrup Pemasangan:M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

Berat

Berat Modul

340

g