Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

340

200

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

400

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

1190

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

400

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =200A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =200A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =200A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

3.75

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.58

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

1.55

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =1. 1Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C

150

n

t R

Waktu naik

32

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

330

n

t F

Waktu musim gugur

93

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

9.7

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

11.3

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =1. 1Ω,V GE = ± 15V, t j =125 O C

161

n

t R

Waktu naik

37

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

412

n

t F

Waktu musim gugur

165

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

20.2

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

17.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =1. 1Ω,V GE = ± 15V, t j = 150 O C

161

n

t R

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

433

n

t F

Waktu musim gugur

185

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

22.4

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

19.1

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

2.40

2.90

V

Saya F =200A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.95

Saya F =200A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.80

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

20.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

160

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

8.0

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C

38.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

201

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

14.2

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V t j = 150 O C

44.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

212

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

15.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.126

0.211

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda)

Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.032

0.053

0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g