Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =65 O C

262

200

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

400

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T = 150 O C

1315

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

400

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

150

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =200A,V GE = 15V, t j =25 O C

3.00

3.45

V

Saya C =200A,V GE = 15V, t j =125 O C

3.80

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

4.5

5.4

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.3

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

13.0

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.85

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

2.10

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =4.7Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C

87

n

t R

Waktu naik

40

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

451

n

t F

Waktu musim gugur

63

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

6.8

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

11.9

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =4.7Ω,V GE = ± 15V, t j = 125O C

88

n

t R

Waktu naik

44

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

483

n

t F

Waktu musim gugur

78

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

11.4

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

13.5

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1300

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

V

Saya F =200A,V GE =0V,T j =125 O C

2.00

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

13.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

236

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

6.6

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C

23.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

269

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

10.5

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

30

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.095

0.202

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.029

0.063

0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g