Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

310

200

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

400

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

1034

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

400

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =200A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =200A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =200A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.0

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

18.2

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.56

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =15V

1.20

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =3.0Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C

213

n

t R

Waktu naik

64

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

280

n

t F

Waktu musim gugur

180

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

4.10

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

16.3

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =3.0Ω,V GE = ± 15V, t j = 125O C

285

n

t R

Waktu naik

78

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

363

n

t F

Waktu musim gugur

278

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

7.40

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

23.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =3.0Ω,V GE = ± 15V, t j = 150O C

293

n

t R

Waktu naik

81

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

374

n

t F

Waktu musim gugur

327

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

8.70

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

25.2

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya F =200A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Saya F =200A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =200A,

-di/dt=5500A/μs,V GE =- 15V, t j =25 O C

17.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

245

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

8.00

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =200A,

-di/dt=5500A/μs,V GE =- 15V, t j = 125O C

32.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

260

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

14.0

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =200A,

-di/dt=5500A/μs,V GE =- 15V, t j = 150O C

37.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

265

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

15.3

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

t C = 100O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Disipasi Daya

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

k

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

30

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

2.20

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.145

0.243

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.064

0.107

0.02

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0

2.5

6.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

200

g