Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD200HFT120C2S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 30

V

Saya C

Arus Kolektor @ t C =25 °C

@ T C = 100°C

335

200

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P =1 MS

400

A

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

@ T C = 100°C

200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

400

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =1 75°C

1154

W

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

°C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Pemasangan Torsi

Sekrup Terminal Daya:M6

Sekrup Pemasangan:M6

2.5 hingga 5.0

3.0 sampai 5.0

N.M

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

5.9

6.5

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =200A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.70

2.15

V

Saya C =200A,V GE = 15V, t j =125 °C

2.00

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =2.4Ω,V GE = ± 15V, t j =25 °C

155

n

t R

Waktu naik

42

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

440

n

t F

Waktu musim gugur

110

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

9.65

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

14.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =2.4Ω,V GE = ± 15V, t j = 125°C

175

n

t R

Waktu naik

46

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

550

n

t F

Waktu musim gugur

165

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

14.5

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

19.2

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

12.5

NF

C oes

Kapasitansi Output

0.82

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.70

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

980

A

Q g

Biaya gerbang

V CC =600V,I C =200A, V GE =0-15V

1.3

μC

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.5

Ω

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Kepala modul

resistansi,

terminal ke chip

0.35

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =200A

t j =25 °C

1.65

2.10

V

t j =125 °C

1.65

Q R

Dipulihkan

biaya

Saya F =200A,

V R =600V,

R g =2.4Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

20.0

μC

t j =125 °C

26.1

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

151

A

t j =125 °C

190

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

8.50

mJ

t j =125 °C

15.0