GD200HFQ120C2SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

324

200

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

400

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C

1181

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

400

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =200A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.85

2.30

V

Saya C =200A,V GE = 15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =200A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =8.00 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

3.8

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

21.6

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.59

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

1.68

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g = 4,7Ω, L S =45 nH , V GE = ± 15V,T vj =25 O C

100

n

t R

Waktu naik

72

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

303

n

t F

Waktu musim gugur

71

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

26.0

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

6.11

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g = 4,7Ω, L S =45 nH , V GE = ± 15V,T vj =125 O C

99

n

t R

Waktu naik

76

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

325

n

t F

Waktu musim gugur

130

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

33.5

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

8.58

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g = 4,7Ω, L S =45 nH , V GE = ± 15V,T vj = 150 O C

98

n

t R

Waktu naik

80

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

345

n

t F

Waktu musim gugur

121

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

36.2

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

9.05

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

750

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =200A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =200A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Saya F =200A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.95

Q R

Dipulihkan biaya

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V GE = 15V, L S =45 nH ,t vj =25 O C

19.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

96

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

5.66

mJ

Q R

Dipulihkan biaya

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V GE = 15V, L S =45 nH ,t vj =125 O C

29.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

106

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

8.56

mJ

Q R

Dipulihkan biaya

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V GE = 15V, L S =45 nH ,t vj = 150 O C

32.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

107

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

9.24

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.127 0.163

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.036 0.046 0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g