GD200HFL120C8S, Modul IGBT, STARPOWER

GD200HFL120C8S,Modul IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFL120C8S

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 200a.

Fitur

Aplikasi Tipikal

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 °C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Deskripsi	GD200HFL120C8S	Unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1200	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	± 20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C = 25°C @ T C =80 °C	400	A
Saya C	Arus Pengumpul @ T C = 25°C @ T C =80 °C	200	A
Saya CM (1)	Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms	400	A
Saya F	Arus Maju Diode Berkelanjutan	200	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms	400	A
P D	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175°C	1402	W
t jmax	Suhu Junction Maksimum	175	°C
t Jopp	Suhu Junction Operasi	-40 hingga +150	°C
t STG	Rentang suhu penyimpanan	-40 hingga +125	°C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min	2500	V
Pemasangan Torsi	Sekrup terminal daya:M5	2.5 hingga 5.0	N.M
Pemasangan Torsi	Pemasangan Sekrup:M6	3.0 sampai 5.0	N.M

Catatan:

(1) Berulang Peringkat : Puls Lebar terbatas Oleh Max. . Perpaduan Suhu

Listrik Karakteristik dari IGBT t C =25 °C kecuali jika tidak dicatat

Karakteristik Off

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V (BR )CES	Kolektor-Emitter Tegangan Pecah	t j =25 °C	1200			V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI arus	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor arus	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C			400	NA

Karakteristik On

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C	5.0	6.2	7.0	V
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =200A,V GE = 15V, t j =25 °C		1.90	2.35	V
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =200A,V GE = 15V, t j = 125°C		2.10		V

Karakteristik Switching

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =200A, R g =5.1Ω,V GE = ± 15V, t j =25 °C		437		n
t R	Waktu naik			75		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			436		n
t F	Waktu musim gugur			165		n
E PADA	Switching Nyalakan kerugian			10.0		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			15.0		mJ
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =200A, R g =5.1Ω,V GE = ± 15V, t j = 125°C		445		n
t R	Waktu naik			96		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			488		n
t F	Waktu musim gugur			258		n
E PADA	Switching Nyalakan kerugian			15.9		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			22.3		mJ
C ies	Kapasitas input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		14.9		NF
C oes	Kapasitansi Output			1.04		NF
C res	Transfer Balik Kapasitansi			0.68		NF
Saya SC	Data SC	t S C ≤ 10μs,V GE = 15V, t j =125 °C ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		1200		A
R Gint	Resistansi Gerbang Internal tance			1.0		Ω
L CE	Induktansi Sisa				26	nH
R CC ’+ EE ’	Modul resistansi timbal CE, terminal ke chip	t C =25 °C		0.62		m Ω

Listrik Karakteristik dari Dioda t C =25 °C kecuali jika tidak dicatat

Karakteristik Termal ics

Simbol	Parameter	- Tempel.	Maks.	Unit
R θ JC	Hubungan ke kasus (per IG) BT)		0.107	K/W
R θ JC	Hubungan ke kasus (per D) yodium)		0.198	K/W
R θ CS	Case-to-Sink (Pelumas konduktif a pplied)	0.046		K/W
Berat	Berat dari Modul	200		g