GD200HFL120C2S_G4, Modul IGBT, STARPOWER

GD200HFL120C2S_G4,Modul IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFL120C2S_G4

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 200a.

Fitur

Aplikasi Tipikal

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 °C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Deskripsi	GD200HFL120C2S_G4	Unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1200	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya C	Arus Kolektor @ t C =25 °C @ T C = 100°C	360 200	A
Saya CM	Arus Kolektor Berdenyut t P =1 MS	400	A
Saya F	Diode terus menerus ke depan Cur =0V,	200	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms	400	A
P D	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =1 75°C	1364	W
t jmax	Suhu Junction Maksimum	175	°C
t Jopp	Suhu Junction Operasi	-40 hingga +150	°C
t STG	Suhu penyimpanan Rentang	-40 hingga +125	°C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min	4000	V
Pemasangan Torsi	Sekrup Terminal Daya:M6 Sekrup Pemasangan:M6	2.5 hingga 5.0 3.0 sampai 5.0	N.M
Berat	Beratnya Modul	300	g

Listrik Karakteristik dari IGBT t C =25 °C kecuali jika tidak dicatat

Karakteristik Off

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V (BR )CES	Kolektor-Emitter Tegangan Pecah	t j =25 °C	1200			V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI arus	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor arus	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C			400	NA

Karakteristik On

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =8.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C	5.0	6.2	7.0	V
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =200A,V GE = 15V, t j =25 °C		1.90	2.35	V
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =200A,V GE = 15V, t j =125 °C		2.10		V

Karakteristik Switching

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =200A, R g =5. 1Ω,V GE = ± 15V, t j =25 °C		437		n
t R	Waktu naik			75		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			436		n
t F	Waktu musim gugur			165		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			10.0		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			15.0		mJ
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =200A, R g =5. 1Ω,V GE = ± 15V, t j = 125°C		445		n
t R	Waktu naik			96		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			488		n
t F	Waktu musim gugur			258		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			15.9		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			22.3		mJ
C ies	Kapasitas input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		14.9		NF
C oes	Kapasitansi Output			1.04		NF
C res	Transfer Balik Kapasitansi			0.68		NF
Saya SC	Data SC	t P ≤ 10μs,V GE =15 V, t j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		940		A
R Gint	Resistensi Gerbang Dalam keturunan			1.0		Ω
L CE	Induktansi Sisa				20	nH
R CC+EE	Kepala modul resistansi, terminal ke chip			0.35		mΩ

Listrik Karakteristik dari Dioda t C =25 °C kecuali jika tidak dicatat

Karakteristik Termal ics

Simbol	Parameter	- Tempel.	Maks.	Unit
R θ JC	Junction-to-Case (per IGB T)		0.110	K/W
R θ JC	Hubungan ke kasus (per D) yodium)		0.140	K/W
R θ CS	Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)	0.035		K/W