GD200HFK120C8SN, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFK120C8SN

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 200a.

Fitur

Aplikasi Tipikal

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Deskripsi	Nilai	unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1200	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =80 O C	300 200	A
Saya CM	Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms	400	A
P D	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 150 O C	1157	W

Dioda

Simbol	Deskripsi	Nilai	unit
V RRM	Tegangan Balik Puncak Berulang	1200	V
Saya F	Diode terus menerus ke depan Cur =0V,	200	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms	400	A

Modul

Simbol	Deskripsi	Nilai	unit
t jmax	Suhu Junction Maksimum	150	O C
t Jopp	Suhu Junction Operasi	-40 hingga +125	O C
t STG	Suhu penyimpanan Rentang	-40 hingga +125	O C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =200A,V GE = 15V, t j =25 O C		2.15	2.60	V
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =200A,V GE = 15V, t j =125 O C		2.65		V
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	4.8	5.7	6.3	V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI arus	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor arus	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
R Gint	Resistensi Gerbang Dalam keturunan			1.0		Ω
C ies	Kapasitas input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		12.9		NF
C res	Transfer Balik Kapasitansi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.82		NF
Q g	Biaya gerbang	V GE =- 15…+15V		2.05		μC
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =200A, R g =5.1Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C		373		n
t R	Waktu naik			104		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			459		n
t F	Waktu musim gugur			168		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			12.9		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			17.1		mJ
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =200A, R g =5.1Ω,V GE = ± 15V, t j = 125O C		373		n
t R	Waktu naik			105		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			475		n
t F	Waktu musim gugur			197		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			17.4		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			23.7		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤ 10μs,V GE = 15V, t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		1500		A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
L CE	Induktansi Sisa			22	nH
R CC+EE	Resistansi lead modul e, Terminal ke Chip		0.65		mΩ
R thJC	Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)			0.108 0.230	K/W
R thCH	Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)		0.135 0.288 0.046		K/W
m	Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Berat dari Modul		200		g