Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =85 O C

294

200

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

400

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

1056

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

400

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =200A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.90

2.35

V

Saya C =200A,V GE = 15V, t j = 125O C

2.40

Saya C =200A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.55

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =5.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

100

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

3.75

Ω

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =0.75Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C

374

n

t R

Waktu naik

50

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

326

n

t F

Waktu musim gugur

204

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

13.8

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

10.4

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =0.75Ω,V GE = ± 15V, t j = 125O C

419

n

t R

Waktu naik

63

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

383

n

t F

Waktu musim gugur

218

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

20.8

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

11.9

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =0.75Ω,V GE = ± 15V, t j = 150O C

419

n

t R

Waktu naik

65

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

388

n

t F

Waktu musim gugur

222

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

22.9

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

11.9

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

V

Saya F =200A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Saya F =200A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

10.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

90

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

3.40

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

26.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

132

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

9.75

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

30.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

142

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

11.3

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

26

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.62

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.142

0.202

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.157

0.223

0.046

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

200

g