GD200CEX120C8SN,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

363

200

A

Saya CRM

Berulang Puncak Kolektor arus tp terbatas Oleh t vjop

400

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C

1293

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Arus Maju Kontinu Dioda ent

200

A

Saya FRM

Berulang Puncak Maju arus tp terbatas Oleh t vjop

400

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =200A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.75

2.20

V

Saya C =200A,V GE = 15V, t vj =125 O C

2.00

Saya C =200A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

2.05

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =8.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.0

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.6

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.52

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

1.40

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =25 O C

140

n

t R

Waktu naik

31

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

239

n

t F

Waktu musim gugur

188

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

11.2

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

13.4

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =125 O C

146

n

t R

Waktu naik

36

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

284

n

t F

Waktu musim gugur

284

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

19.4

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

18.9

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj = 150 O C

148

n

t R

Waktu naik

37

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

294

n

t F

Waktu musim gugur

303

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

21.7

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

19.8

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =200A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =200A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Saya F =200A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V GE = 15V, t vj =25 O C

20.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

220

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

7.5

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V GE = 15V, t vj =125 O C

34.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

209

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

12.9

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V GE = 15V, t vj = 150 O C

38.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

204

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

14.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.116 0.185

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.150 0.239 0.046

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M

g

Berat dari Modul

200

g