GD150PIY120C6SN,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

292

150

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

300

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

1111

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

150

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

300

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1600

V

Saya O

Arus Keluaran Rata-rata 5 0Hz/60Hz, gelombang sinus

150

A

Saya FSM

Arus Maju Lonjakan t P =10ms @ T j =2 5O C @ T j = 150 O C

1600

1400

A

Saya 2t

Saya 2Nilai t, t P =10ms @ T j =25 O C @ T j = 150 O C

13000

9800

A 2S

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

200

100

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

200

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

833

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

50

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

100

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum (inverter, rem) Suhu Junction Maksimum (rektifier)

175

150

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =150A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =150A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =150A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =6.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.0

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

15.5

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.44

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

1.17

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =150A, R g =1. 1Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C

96

n

t R

Waktu naik

30

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

255

n

t F

Waktu musim gugur

269

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

8.59

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

12.3

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =150A, R g =1. 1Ω,V GE = ± 15V, t j =125 O C

117

n

t R

Waktu naik

37

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

307

n

t F

Waktu musim gugur

371

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

13.2

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

16.8

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =150A, R g =1. 1Ω,V GE = ± 15V, t j = 150 O C

122

n

t R

Waktu naik

38

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

315

n

t F

Waktu musim gugur

425

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

14.8

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

18.1

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =150A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.25

V

Saya F =150A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.90

Saya F =150A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=4750A/μs,V GE = 15V t j =25 O C

8.62

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

177

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

5.68

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3950A/μs,V GE = 15V t j =125 O C

16.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

191

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

10.2

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3750A/μs,V GE = 15V t j = 150 O C

19.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

196

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

12.1

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya C =150A, t j = 150 O C

1.00

V

Saya R

Arus balik

t j = 150 O C,V R =1600V

3.0

mA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =100A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =100A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =100A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =4.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

7.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.4

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.29

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.08

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C

170

n

t R

Waktu naik

32

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

360

n

t F

Waktu musim gugur

86

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

5.90

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

6.05

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, t j =125 O C

180

n

t R

Waktu naik

42

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

470

n

t F

Waktu musim gugur

165

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

9.10

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

9.35

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, t j = 150 O C

181

n

t R

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

480

n

t F

Waktu musim gugur

186

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

10.0

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

10.5

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =50A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

Saya F =50A,V GE =0V,T j =125 O C

1.90

Saya F =50A,V GE =0V,T j = 150 O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE = 15V t j =25 O C

6.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

62

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

1.67

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE = 15V t j =125 O C

10.1

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

69

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

2.94

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE = 15V t j = 150 O C

11.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

72

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

3.63

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

k

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

40

nH

R CC+EE R A A ’+ CC ’

Modul Lead Resista nce,Terminasi ke Chip

4.00 3.00

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT -Inverter ) Junction-ke-Case (per DIODE-inverter ter) Junction-ke-Casing (per Diode-rektif ier) Perpaduan -ke -kasus (perIGBT -Rem )

Junction-ke-Case (per Diode-br ake)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

K/W

R thCH

kasus -ke -Heat sink (perIGBT -Inverter )Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-i nverter) Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-re pemurni) kasus -ke -Heat sink (perIGBT -Rem )

Case-ke-Heatsink (per Dio de-brake) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

K/W

m

Torsi pemasangan, Sekrup:M5

3.0

6.0

N.M