GD150HFX170C1S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 95 O C

229

150

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

300

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

815

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1700

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

150

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

300

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =150A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.85

2.30

V

Saya C =150A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =150A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =6.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

5.0

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.1

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.44

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =150A, R g =3.3Ω,V GE = ± 15V, L S =70 nH , t j =25 O C

303

n

t R

Waktu naik

75

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

417

n

t F

Waktu musim gugur

352

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

42.3

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

25.3

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =150A, R g =3.3Ω,V GE = ± 15V, L S =70 nH ,t j =125 O C

323

n

t R

Waktu naik

88

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

479

n

t F

Waktu musim gugur

509

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

58.9

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

34.9

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =150A, R g =3.3Ω,V GE = ± 15V, L S =70 nH ,t j = 150 O C

327

n

t R

Waktu naik

90

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

498

n

t F

Waktu musim gugur

608

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

65.6

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

40.2

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =150A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =150A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.90

Saya F =150A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V GE = 15V L S =70 nH , t j =25 O C

26.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

131

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

21.6

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V GE = 15V L S =70nH, T j =125 O C

48.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

140

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

40.1

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V GE = 15V L S =70nH, T j = 150 O C

52.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

142

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

42.5

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

30

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.65

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.184 0.368

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.150 0.300 0.050

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Berat dari Modul

150

g