GD150HFU120C8SD ,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =85 O C

238

150

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

300

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 150 O C

1237

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

150

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

300

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

150

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =150A,V GE = 15V, t vj =25 O C

2.90

3.35

V

Saya C =150A,V GE = 15V, t vj =125 O C

3.60

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =3.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.50

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V

19.2

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.60

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

1.83

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =150A, R g =6.8Ω, Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =25 O C

183

n

t R

Waktu naik

73.8

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

438

n

t F

Waktu musim gugur

33.0

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

12.8

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

5.31

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =150A, R g =6.8Ω, Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =125 O C

185

n

t R

Waktu naik

74

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

476

n

t F

Waktu musim gugur

44.5

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

15.5

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

7.74

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj =125 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

975

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =150A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =150A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs, Ls=35nH, V GE = 15V, t vj =25 O C

11.9

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

113

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

4.02

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs, Ls=35nH, V GE = 15V, t vj =125 O C

22.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

139

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

8.58

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.101 0.257

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.028 0.071 0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g