GD150HCX170C6SA ,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

281

150

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

300

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C

1136

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1700

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

150

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

300

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =150A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =150A,V GE = 15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =150A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =6.00 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

4.3

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.1

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.44

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =150A, R g =0.51Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris = 48 nH ,t vj =25 O C

206

n

t R

Waktu naik

44

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

337

n

t F

Waktu musim gugur

331

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

39.5

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

21.7

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =150A, R g =0.51Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris = 48 nH ,t vj =125 O C

232

n

t R

Waktu naik

54

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

422

n

t F

Waktu musim gugur

514

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

55.3

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

32.7

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =150A, R g =0.51Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris = 48 nH ,t vj = 150 O C

239

n

t R

Waktu naik

57

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

442

n

t F

Waktu musim gugur

559

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

60.8

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

34.9

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj = 150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =150A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

V

Saya F =150A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.95

Saya F =150A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.90

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=2464A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris = 48 nH ,t vj =25 O C

42.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

142

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

22.3

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1956A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris = 48 nH ,t vj =125 O C

64.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

147

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

35.0

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1795A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris = 48 nH ,t vj = 150 O C

72.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

148

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

38.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

1.10

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.132 0.209

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.029 0.047 0.009

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Berat dari Modul

350

g