GD1200SGX170A3S,Modul IGBT,Modul IGBT arus tinggi,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

2206

1200

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

2400

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

8.77

kW

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1700

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

1200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

2400

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =1200A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =1200A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =1200A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =48.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.0

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

145

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

3.51

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

11.3

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 1200A, R g =1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

L S =65 nH ,t j =25 O C

440

n

t R

Waktu naik

112

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1200

n

t F

Waktu musim gugur

317

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

271

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

295

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 1200A, R g =1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

L S =65 nH ,t j =125 O C

542

n

t R

Waktu naik

153

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1657

n

t F

Waktu musim gugur

385

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

513

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

347

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 1200A, R g =1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

L S =65 nH ,t j = 150 O C

547

n

t R

Waktu naik

165

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1695

n

t F

Waktu musim gugur

407

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

573

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

389

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

4800

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =1200A,V GE =0V, T j =25℃

1.80

2.25

V

Saya F =1200A,V GE =0V, T j =125℃

1.90

Saya F =1200A,V GE =0V, T j =150℃

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =25℃

190

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

844

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

192

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =125℃

327

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

1094

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

263

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =150℃

368

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

1111

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

275

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

12

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.19

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

17.1 26.2

K/kW

R thCH

kasus -ke -Heat sink (perIGBT )Kasus-ke-Heatsink (p (diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

9.9 15.2 6.0

K/kW

m

Terminal Daya Sekrup:M4 Terminal Daya Sekrup:M8 Sekrup Pemasangan:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.M

g

Berat dari Modul

1050

g