Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD1200SGT120C3S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Kolektor @ t C =25 °C

@ T C =80 °C

1900

1200

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P =1 MS

2400

A

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

@ T C =80 °C

1200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

2400

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =1 75°C

6.79

kW

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Pemasangan Torsi

Sekrup Terminal Sinyal:M4

1.8 hingga 2.1

Sekrup Terminal Daya:M8

8.0 hingga 10

N.M

Sekrup Pemasangan:M6

4.25 hingga 5.75

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 48 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C = 1200A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.70

2.15

V

Saya C = 1200A,V GE = 15V, t j =125 °C

2.00

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 1200A,

R Gon = 1,8Ω,R Goff = 0,62Ω,

V GE = ± 15V,T j =25 °C

550

n

t R

Waktu naik

230

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

830

n

t F

Waktu musim gugur

160

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

/

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

/

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 1200A,

R Gon = 1,8Ω,R Goff = 0,62Ω, V GE = ± 15V,T j =125 °C

650

n

t R

Waktu naik

240

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

970

n

t F

Waktu musim gugur

190

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

246

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

189

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

85.5

NF

C oes

Kapasitansi Output

4.48

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

3.87

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C,

V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

4800

A

R Gint

Gerbang Internal

hambatan

1.9

Ω

L CE

Induktansi Sisa

15

nH

R CC+EE

Kepala modul

resistansi,

terminal ke chip

0.10

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F = 1200A

t j =25 °C

1.65

2.05

V

t j =125 °C

1.65

Q R

Dipulihkan

biaya

Saya F = 1200A,

V R =600V,

R Gon = 0,6Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

112

μC

t j =125 °C

224

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

850

A

t j =125 °C

1070

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

48.0

mJ

t j =125 °C

96.0

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

22.1

K/kW

R θ JC

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

36.8

K/kW

R θ CS

Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)

6

K/kW

Berat

Berat Modul

1500

g