GD1200HFX170C3S,Modul IGBT,Modul IGBT arus tinggi,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1965

1200

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

2400

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C

6.55

kW

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1700

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

1200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

2400

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =1200A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.85

2.30

V

Saya C =1200A,V GE = 15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =1200A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =48.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.6

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

142

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

3.57

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

11.8

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff = 3,3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =25 O C

700

n

t R

Waktu naik

420

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1620

n

t F

Waktu musim gugur

231

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

616

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

419

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff = 3,3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =125 O C

869

n

t R

Waktu naik

495

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1976

n

t F

Waktu musim gugur

298

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

898

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

530

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff = 3,3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj = 150 O C

941

n

t R

Waktu naik

508

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

2128

n

t F

Waktu musim gugur

321

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

981

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

557

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj = 150 O C ,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

4800

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =1200A,V GE =0V,T vj =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =1200A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Saya F =1200A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =25 O C

217

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

490

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

108

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =125 O C

359

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

550

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

165

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj = 150 O C

423

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

570

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

200

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.37

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

22.9 44.2

K/kW

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

18.2 35.2 6.0

K/kW

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Torsi koneksi terminal, Sekrup M8 Torsi pemasangan, Sekrup M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

Berat dari Modul

1500

g