Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD1200HFT120C3S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 20

V

Saya C

@ T C =25 °C

@ T C =80 °C

1800

A

1200

Saya CM (1)

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

2400

A

Saya F

Arus Maju Diode Berkelanjutan

1200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Diode =0V,

2400

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 150°C

5.2

kW

t j

Suhu Junction Maksimum

150

°C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Pemasangan

Terminal Sinyal Sekrup:M4

Terminal Daya Sekrup:M8

1.8 hingga 2.1

8.0 hingga 10

N.M

Torsi

Pemasangan Sekrup:M6

4.25 hingga 5.75

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor

arus

V GE = V GES ,V CE =0V,

t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor

Tegangan

Saya C = 48 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C = 1200A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.70

2.15

V

Saya C = 1200A,V GE = 15V, t j = 125°C

2.00

2.45

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

11.5

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 1200A,

R Gon =2.4Ω,

R Goff = 0,82Ω,

V GE = ± 15V,T j =25 °C

600

n

t R

Waktu naik

230

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

820

n

t F

Waktu musim gugur

150

n

E PADA

Nyalakan Kehilangan Switching

/

mJ

E MATI

Kerugian Saklar Matikan

/

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 1200A,

R Gon =2.4Ω,

R Goff = 0,82Ω,

V GE = ± 15V,T j = 125°C

660

n

t R

Waktu naik

220

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

960

n

t F

Waktu musim gugur

180

n

E PADA

Nyalakan Kehilangan Switching

246

mJ

E MATI

Kerugian Saklar Matikan

191

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

86.1

NF

C oes

Kapasitansi Output

4.50

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

3.90

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs,V GE = 15V, t j =125 °C ,V CC =900V,

V CEM ≤ 1200V

4800

A

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC ’+ EE ’

Resistansi lead modul e, terminal ke chip

t C =25 °C

0.18

m Ω

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F = 1200A

t j =25 °C

1.65

2.15

V

t j = 125°C

1.65

2.15

Q R

Dioda Mundur

biaya pemulihan

Saya F = 1200A,

V R =600V,

R Gon =2.4Ω,

V GE =- 15V

t j =25 °C

69

μC

t j = 125°C

129

Saya RM

Dioda Puncak

Pemulihan Terbalik arus

t j =25 °C

485

A

t j = 125°C

623

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

32

mJ

t j = 125°C

60

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

24

K/kW

R θ JC

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

43

K/kW

R θ CS

Case-to-Sink

(lemak konduktif diterapkan, per Modul)

6

K/kW

Berat

Beratnya Modul

1500

g