Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD1200HFL120C3S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Kolektor @ t C =25 °C

@ T C = 100°C

1900

1200

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P =1 MS

2400

A

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

1200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

2400

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =1 75°C

6.41

kW

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

t Jopp

Suhu Junction Maksimum

-40 hingga +150

°C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M4

1.8 hingga 2.1

Torsi koneksi terminal, Sekrup M8

8.0 hingga 10

N.M

Torsi pemasangan, Sekrup M6

4.25 hingga 5.75

g

Beratnya Modul

1500

g

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =48.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.4

7.4

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C = 1200A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.95

2.40

V

Saya C = 1200A,V GE = 15V, t j =125 °C

2.10

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 1200A, R Gon =2. 1Ω,R Goff =4.5Ω, V GE =±15 V,T j =25 °C

200

n

t R

Waktu naik

135

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

1050

n

t F

Waktu musim gugur

130

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

136

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

160

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 1200A, R Gon =2. 1Ω,R Goff =4.5Ω, V GE =±15 V,T j = 125°C

220

n

t R

Waktu naik

190

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

1150

n

t F

Waktu musim gugur

140

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

184

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

208

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

84.8

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

3.76

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

4500

A

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.7

Ω

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Kepala modul

resistansi,

terminal ke chip

0.18

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F = 1200A

t j =25 °C

1.65

2.20

V

t j =125 °C

1.75

Q R

Dipulihkan

biaya

Saya F = 1200A,

V R =600V,

R Gon =2. 1Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

400

μC

t j =125 °C

680

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

1400

A

t j =125 °C

1840

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

160

mJ

t j =125 °C

296

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

23.4

K/kW

R θ JC

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

46.1

K/kW

R θ CS

Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)

6

K/kW