GD100PIX120C6SNA,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

155

100

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

200

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

511

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

100

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

200

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1600

V

Saya O

Arus Keluaran Rata-rata 5 0Hz/60Hz, gelombang sinus

100

A

Saya FSM

Arus Maju Lonjakan t P =10ms @ T j = 25O C @ T j = 150 O C

1150

880

A

Saya 2t

Saya 2Nilai t, t P =10ms @ T j =25 O C @ T j = 150 O C

6600

3850

A 2S

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

87

50

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

100

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

308

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

25

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

50

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum (inverter, rem) Suhu Junction Maksimum (rektifier)

175

150

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =100A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =100A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =100A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =4.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

7.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.4

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.29

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.78

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C

218

n

t R

Waktu naik

35

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

287

n

t F

Waktu musim gugur

212

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

9.23

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

6.85

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, t j =125 O C

242

n

t R

Waktu naik

41

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

352

n

t F

Waktu musim gugur

323

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

13.6

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

9.95

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, t j = 150 O C

248

n

t R

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

365

n

t F

Waktu musim gugur

333

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

14.9

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

10.5

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =100A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

Saya F =100A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.90

Saya F =100A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V GE = 15V t j =25 O C

5.89

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

103

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

3.85

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V GE = 15V t j =125 O C

13.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

109

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

6.64

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V GE = 15V t j = 150 O C

15.6

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

109

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

7.39

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =100A, t j = 150 O C

0.95

V

Saya R

Arus balik

t j = 150 O C,V R =1600V

2.0

mA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =50A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =50A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =50A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =2.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

5.18

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.15

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.39

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =50A, R g =15Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C

171

n

t R

Waktu naik

32

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

340

n

t F

Waktu musim gugur

82

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

6.10

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

2.88

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =50A, R g =15Ω,V GE = ± 15V, t j =125 O C

182

n

t R

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

443

n

t F

Waktu musim gugur

155

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

8.24

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

4.43

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =50A, R g =15Ω,V GE = ± 15V, t j = 150 O C

182

n

t R

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

464

n

t F

Waktu musim gugur

175

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

8.99

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

4.94

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =25A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

Saya F =25A,V GE =0V,T j =125 O C

1.90

Saya F =25A,V GE =0V,T j = 150 O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE = 15V t j =25 O C

2.9

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

55

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

0.93

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE = 15V t j =125 O C

5.1

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

58

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

1.72

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE = 15V t j = 150 O C

5.6

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

60

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

2.01

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

k

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

40

nH

R CC+EE R A A ’+ CC ’

Modul Lead Resista nce,Terminasi ke Chip

4.00 3.00

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT -Inverter )

Junction-ke-Case (per Diode-invert er)

Junction-ke-Casing (per Diode-rektif ier)

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT -Rem -Pemotong ) Junction-to-Case (per Diode-brake-chop per)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

R thCH

kasus -ke -Heat sink (perIGBT -Inverter )

Kasus-ke-Penyerap Panas (per Dioda-in verter)

Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-re pemurni)

kasus -ke -Heat sink (perIGBT -Rem -Pemotong )Kasus-ke-Penyerap Panas (per Dioda-rem- chopper) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

m

Torsi pemasangan, Sekrup:M5

3.0

6.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g