GD100PFX170C6SG, Modul IGBT, STARPOWER

Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1700V 100a.

Fitur

Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
Kemampuan hubung singkat 10μs
VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
Suhu junction maksimum 175 ℃
Kasing induktansi rendah
Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

Inverter untuk motor drive
AC dan DC servo drive amplifier
Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

inverter IGBT

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1700	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C	161 100	A
Saya CM	Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms	200	A
P P	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C	592	W

inverter DIODE

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V RRM	Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia	1700	V
Saya F	Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental	100	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms	200	A

Diode-rektifier

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V RRM	Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia	1800	V
Saya O	Arus Keluaran Rata-rata 5 0Hz/60Hz, gelombang sinus	100	A
Saya FSM	Arus Maju Lonjakan t P =10ms @ T j = 25O C @ T j = 150 O C	1600 1400	A
Saya 2t	Saya 2Nilai t, t P =10ms @ T j =25 O C @ T j = 150 O C	13000 9800	A 2S

Modul

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
t jmax	Suhu Junction Maksimum (inverter) Suhu Junction Maksimum (rektifier)	175 150	O C
t Jopp	Suhu Junction Operasi	-40 hingga +150	O C
t STG	Rentang suhu penyimpanan	-40 hingga +125	O C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit	4000	V

IGBT -Inverter Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =100A,V GE = 15V, t j =25 O C		1.85	2.20	V
		Saya C =100A,V GE = 15V, t j =125 O C		2.25
		Saya C =100A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.35
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C = 4,0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI arus	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor arus	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
R Gint	Resistensi Gerbang Dalam			7.5		Ω
C ies	Kapasitas input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		12.0		NF
C res	Transfer Balik Kapasitansi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.29		NF
Q g	Biaya gerbang	V GE =-15 ...+15V		0.94		μC
t P (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC = 900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE = ± 15V, L S =46 nH , t j =25 O C		257		n
t R	Waktu naik			47		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			377		n
t F	Waktu musim gugur			382		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			24.6		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			16.7		mJ
t P (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC = 900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE = ± 15V, L S =46nH, T j =125 O C		284		n
t R	Waktu naik			56		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			444		n
t F	Waktu musim gugur			555		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			34.9		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			23.1		mJ
t P (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC = 900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE = ± 15V, L S =46nH, T j = 150 O C		286		n
t R	Waktu naik			60		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			465		n
t F	Waktu musim gugur			636		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			38.0		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			26.1		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤ 10 μs, V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		400		A

Dioda -Inverter Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F =100A,V GE =0V,T j =25 O C		1.80	2.25	V
		Saya F =100A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.90
		Saya F =100A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R = 900V,I F =100A, -di/dt=1590A/μs,V GE = 15V L S =46 nH , t j =25 O C		13.3		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			107		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			8.79		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R = 900V,I F =100A, -di/dt=1300A/μs,V GE = 15V L S =46nH, T j =125 O C		25.0		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			111		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			18.6		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R = 900V,I F =100A, -di/dt=1230A/μs,V GE = 15V L S =46nH, T j = 150 O C		28.0		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			112		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			20.4		mJ

Dioda -penyearah Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya C =100A, t j = 150 O C		0.85		V
Saya R	Arus balik	t j = 150 O C,V R =1800V			3.0	mA

NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
R 25	Rentang Rating			5.0		kΩ
∆R/R	Penyimpangan dari R 100	t C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Daya dissipasi				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		k
B 25/80	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		k
B 25/100	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		k

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
R thJC	Perpaduan -ke -kasus (perIGBT -Inverter ) Junction-ke-Case (per DIODE-inverter ter) Junction-ke-Casing (per Diode-rektif ier)			0.253 0.424 0.289	K/W
R thCH	kasus -ke -Heat sink (perIGBT -Inverter )Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-i nverter) Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-re pemurni) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)		0.105 0.176 0.120 0.009		K/W
m	Torsi pemasangan, Sekrup:M5	3.0		6.0	N.M
g	Berat dari Modul		300		g