GD100HHU120C6SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =75 O C

146

100

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

200

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 150 O C

771

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

100

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

200

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

150

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =100A,V GE = 15V, t vj =25 O C

3.00

3.45

V

Saya C =100A,V GE = 15V, t vj =125 O C

3.80

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 4,0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.0

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.50

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.42

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

1.10

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, R g =9.1Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris = 48 nH ,t vj =25 O C

38

n

t R

Waktu naik

50

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

330

n

t F

Waktu musim gugur

27

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

8.92

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

2.06

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, R g =9.1Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris = 48 nH ,t vj =125 O C

37

n

t R

Waktu naik

50

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

362

n

t F

Waktu musim gugur

43

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

10.7

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

3.69

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj =125 O C ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

650

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =100A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =100A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris = 48 nH ,t vj =25 O C

11.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

101

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

4.08

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris = 48 nH ,t vj =125 O C

19.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

120

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

7.47

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

t vj =100 O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

k

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

21

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

2.60

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.162 0.401

K/W

R thCH

kasus -ke -Cuci Piring (perIGBT )

Case-to-Sink (per Diode)

Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.051 0.125 0.009

K/W

m

Torsi pemasangan, Sekrup M6

3.0

6.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g