GD100HFX170C1S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

173

112

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

200

A

P P

Maksimum Daya dissipasi @ t vj = 175 O C

666

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1700

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

100

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

200

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =100A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =100A,V GE = 15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =100A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 4,0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

7.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

12.0

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.29

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

0.94

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE = ± 15V, Ls=60nH,

t vj =25 O C

272

n

t R

Waktu naik

55

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

369

n

t F

Waktu musim gugur

389

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

28.2

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

16.4

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE = ± 15V, Ls=60nH,

t vj =125 O C

296

n

t R

Waktu naik

66

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

448

n

t F

Waktu musim gugur

576

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

40.1

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

24.1

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE = ± 15V, Ls=60nH,

t vj = 150 O C

302

n

t R

Waktu naik

69

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

463

n

t F

Waktu musim gugur

607

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

43.9

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

25.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj = 150 O C ,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =100A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

V

Saya F =100A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Saya F =100A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V GE = 15V Ls=60nH,

t vj =25 O C

23.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

85

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

11.5

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V GE = 15V Ls=60nH,

t vj =125 O C

36.6

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

88

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

18.1

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V GE = 15V Ls=60nH,

t vj = 150 O C

46.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

91

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

24.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

30

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.65

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.225 0.391

K/W

R thCH

kasus -ke -Heat sink (perIGBT )Kasus-ke-Heatsink (p (diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.158 0.274 0.050

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Berat dari Modul

150

g