GD100HFQ120C1SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

162

100

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

200

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C

595

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

100

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

200

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =100A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.85

2.30

V

Saya C =100A,V GE = 15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =100A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 4,0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

7.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.8

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.30

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.84

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, R g =5.1Ω, V GE = ± 15V, L S =45 nH ,t vj =25 O C

59

n

t R

Waktu naik

38

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

209

n

t F

Waktu musim gugur

71

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

11.2

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

3.15

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, R g =5.1Ω, V GE = ± 15V, L S =45 nH ,t vj =125 O C

68

n

t R

Waktu naik

44

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

243

n

t F

Waktu musim gugur

104

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

14.5

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

4.36

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, R g =5.1Ω, V GE = ± 15V, L S =45 nH ,t vj = 150 O C

71

n

t R

Waktu naik

46

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

251

n

t F

Waktu musim gugur

105

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

15.9

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

4.63

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =100A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =100A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Saya F =100A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=961A/μs,V GE = 15V L S =45 nH ,t vj =25 O C

7.92

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

46.4

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

2.25

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=871A/μs,V GE = 15V L S =45 nH ,t vj =125 O C

15.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

54.5

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

5.08

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=853A/μs,V GE = 15V L S =45 nH ,t vj = 150 O C

18.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

58.9

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

6.67

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

30

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.75

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.252 0.446

K/W

R thCH

kasus -ke -Heat sink (perIGBT )Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.157 0.277 0.050

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Berat dari Modul

150

g