Semua Kategori

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

halaman utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1700V

GD100HCX170C6SA, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT,1700V 100A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD100HCX170C6SA
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1700V 100a.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • Kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

196

100

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

200

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C

815

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1700

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

100

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

200

A

Modul

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =100A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =100A,V GE = 15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =100A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =4.00 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

7.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

12.0

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.29

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =100A, R g =1.0Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =52 nH ,t vj =25 O C

196

n

t R

Waktu naik

44

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

298

n

t F

Waktu musim gugur

367

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

26.4

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

14.7

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =100A, R g =1.0Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =52 nH ,t vj =125 O C

217

n

t R

Waktu naik

53

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

361

n

t F

Waktu musim gugur

516

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

36.0

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

21.0

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =100A, R g =1.0Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =52 nH ,t vj = 150 O C

223

n

t R

Waktu naik

56

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

374

n

t F

Waktu musim gugur

551

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

39.1

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

22.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj = 150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

400

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =100A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

V

Saya F =100A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.95

Saya F =100A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.90

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1332A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =52 nH ,t vj =25 O C

26.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

78

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

14.4

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1091A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =52 nH ,t vj =125 O C

42.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

86

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

23.7

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1060A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =52 nH ,t vj = 150 O C

48.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

89

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

27.4

mJ

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

1.10

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.184 0.274

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.060 0.090 0.009

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Berat dari Modul

350

g

Rangka kerja

image(c537ef1333).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000